KR950021618A - 실린더형 캐패시터의 제조방법 - Google Patents
실린더형 캐패시터의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명의 집적도가 높아질수록 어려움을 겪고 있는 디램셀의 캐패시터의 제조방법에 관한 것으로 64M 디램뿐만 아니라 256M 디램에서도 적용이 가능한 실린더형 전하 저장 전극을 형성하는 제조방법이다. 본 발명에 의하면 단위 셀의 면적이 축소됨에 따라 필수 불가결한 핵심 기술은 0.4um이하를 디파인 할 수 있는 사진 식각 기술과 더불어 좁은 면적에서 충분한 값의 용량을 확보할 수 있는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제6도까지는 본 발명에 의해 실린더형 캐패시터를 제조하는 단계를 도시한 단면도이다.
Claims (3)
- 반도체기판 상부에 하나의 모스펫과 하나의 캐패시터가 연결되어 이루어지는 디램셀 제조방법에 있어서, 반도체 기판 상부에 모스펫을 형성한 후 그 상부에 절연층을 형성하고 전하저장전극용 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀 상부에 제1다결정 실리콘층을 전면에 증착하는 단계와, 제1다결정 실리콘층상부에 절연막을 예정된 두께로 증착하는 단계와, 상기 절연막 상부에 제2다결정 실리콘층을 얇게 하는 단계와, 전하저장전극용 마스크를 이용하여 제2다결정 실리콘층을 건식 식각하여 패턴을 형성하는 단계와, 제2다결정 실리콘층 패턴을 이용하여 하부에 노출된 절연막을 건식식각하여 절연층 패턴을 형성하는 단계와, 노출된 제1다결정 실리콘층과 남아 있는 제2다결정실리콘층 패턴을 건식식각하는 단계와, 제3다결정 실리콘층을 전면에 증착하는 단계와, 상기 제3다결정 실리콘층을 전면 건식 식각하여 상기 절연막 패턴 측면에 제3다결정 실리콘층 스페이서를 형성하여 그로 인하여 제1다결정 실리콘층과 제3다결정 실리콘층 스페이서로 이루어지는 실린더형 전하저장전극을 형성하는 단계와, 상기 전하저장전극의 상부 및 저부에 있는 절연층을 제거하는 단계와, 상기 전하저장전극의 표면에 캐패시터 절연막과 플레이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 실린더형 캐패시터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 제2다결정 실리콘층 상부에 형성되는 절연막의 증착 두께를 달리하여 캐패시터의 높이를 변화시키는 방법을 특징으로 하는 실린더형 캐패시터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 제1다결정 실리콘층 하부에 형성하는 절연막은 습식식각선택비가 다른 두개의 층으로 형성하여 저장전극 저부를 노출시키는 공정을 용이하게 하는 것을 특징으로 하는 실린더형 캐패시터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930028880A KR950021618A (ko) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | 실린더형 캐패시터의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930028880A KR950021618A (ko) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | 실린더형 캐패시터의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950021618A true KR950021618A (ko) | 1995-07-26 |
Family
ID=66850697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930028880A KR950021618A (ko) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | 실린더형 캐패시터의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950021618A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100272911B1 (ko) * | 1996-02-28 | 2000-11-15 | 가네꼬 히사시 | 반도체 장치내에 실린더형 커패시터 하판을 형성하는 개선된 방법 |
-
1993
- 1993-12-21 KR KR1019930028880A patent/KR950021618A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100272911B1 (ko) * | 1996-02-28 | 2000-11-15 | 가네꼬 히사시 | 반도체 장치내에 실린더형 커패시터 하판을 형성하는 개선된 방법 |
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