KR970054050A - 반도체장치의 커패시터 제조방법 - Google Patents
반도체장치의 커패시터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 장치의 커패시터 제조방법에 관한 것이다. 표면에 절연막이 형성된 반도체기판 상에 하부전극을 형성한는 단계; 상기 하부전극 상에 제1실리콘질화막 및 제1산화막을 차례로 형성하는 단계; 상기 결과물을 암모니아 플라즈마 처리하여 상기 제1산화막 상에 얇은 제2실리콘질화막을 형성하는 단계; 상기 제2실리콘질화막 상에 제3실리콘질화막을 형성하는 단계; 상기 제3실리콘질화막 상에 제2산화막을 형성하는 단계; 및 제2산화막 상에 상부전극을 형서하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 제2산화막이 형성된 직후에 제3실리콘질화막의 두께가 변하는 현상을 방지할 수 있으므로 안정된 고유전막을 형성할 수 있다.다시 말해서, 커패시너가 완성된 직후에 커패시터가 감소하는 현상을 개선시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명에의한 커패시터 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
Claims (2)
- 표면에 절연막이 형성된 반도체기판 상에 하부전극을 형성하는 단계; 상기 하부전극 상에 제1실리콘질화막 및 제1산화막을 차례로 형성하는 단게; 상기 결과물을 암모니아 플라즈마 처리하여 상기 제1산화막 상에 얇은 제2실리콘질화막으 형성하는 단계 상기 제2실리콘질화막 상에 제3실리콘질화막을 형성하는 단계;상기 제3실리콘질화막 상에 제2산화막을 형성하는 단계; 및 상기 제2산화막 상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2산화막은 열산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057100A KR970054050A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체장치의 커패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057100A KR970054050A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체장치의 커패시터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970054050A true KR970054050A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66618340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950057100A KR970054050A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체장치의 커패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970054050A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100575854B1 (ko) * | 1999-07-14 | 2006-05-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 캐패시터 제조방법 |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR1019950057100A patent/KR970054050A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100575854B1 (ko) * | 1999-07-14 | 2006-05-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 캐패시터 제조방법 |
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