KR970053795A - 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 캐패시터 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 캐패시터 형성방법에 관한 것으로, 하부절연층과 캐패시터 콘택플러그가 형성된 반도체기판 상부에 점착층인 티타늄질화막이 소정두께 형성되고 상기 점착층 상부에 전도성 산화막으로 하부전극이 형성된 다음, 상기 하부전극을 마스크로 하여 상기 점착층을 산화시켜 산화절연막이 형성되되, 상기 산화절연막은 상기 하부전극 하부 측면으로 소정두께 형성되고 전표면상부에 고유전체막과 상부전극이 형성되어 소자의 전기적 특성열화를 방지하는 동시에 하부전극인 저장전극의 표면적을 유지할 수 있어 반도체소자의 고집적화에 충분한 정전용량을 갖는 캐패시터를 형성하여 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 캐패시터 형성방법을 도시한 단면도.
Claims (8)
- 하부절연층과 캐패시터 콘택플러그가 형성된 반도체기판 상부에 점착층인 티타늄질화막이 소정두께 형성되는 공정과, 상기 점착층 상부에 전도성 산화막으로 하부전극이 형성되는 공정과, 상기 하부전극을 마스크로 하여 상기 점착층을 산화시켜 산화절연막이 형성되되, 상기 산화절연막은 상기 하부전극 하부 측면으로 소정두께 형성되는 공정과, 전체표면상부에 고유전체막과 상부전극이 형성되는 공정이 포함되는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 콘택플러그는 다결정실리콘막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 점착층은 티타늄막이나 티타늄질화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화공정은 O2플라즈마를 이용하여 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화공정은 N2O 플라즈마를 이용하여 실시되는 것을 특징으로하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화공정은 산소분위기의 챔버내에서 고온 열공정으로 실시되는 것을 특징으로하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
- 제1항, 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산화공정은 산소분위기의 고온 열공정 그리고 O2플라즈마나 N2O 플라즈마를 이용하는 공정의 두가지 공정으로 실시되는것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
- 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 산화절연막은 티타늄산화막이나 티타늄산화질화막인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| JP2629586B2 (ja) * | 1993-12-16 | 1997-07-09 | 日本電気株式会社 | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
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1995
- 1995-12-27 KR KR1019950059671A patent/KR100228761B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR100228761B1 (ko) | 1999-11-01 |
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