KR970054121A - 반도체소자의 캐패시터 형성방법 - Google Patents
반도체소자의 캐패시터 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 캐패시터 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 엔웰과 페웰을 형성하고 상기 반도체기판 상부에 소자분리절연막을 형성한 다음, 상기 엔웰과 피웰의 경계부에 브이(V)형 홈을 형성하고 전체표면상부에 게이트산화막과 게이트도전층을 소정두께 형성한 다음, 상기 게이트도전층과 게이트산화막을 패터닝하여 상기 엔웰과 피웰에 게이트전극을 형성하고 상기 경계부에 캐패시터를 형성함으로써 얇은 게이트산화막이 유전체막으로 사용되어 큰값의 정전용량을 확보할 수 있으며 낮은 누설전류를 가지고, 높은 브레이크다운전압을 가지고, 전압에 따른 정전용량의 변화를 감소시키고 제조공정을 단순화하여 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키는 동시에 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 및 제2B도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 캐패시터 형성방법을 도시한 단면도.
Claims (4)
- 반도체기판 상부에 엔웰과 페웰을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판 상부에 소자분리절연막을 형성하는 공정과, 상기 엔웰과 피웰의 경계부에 브이(V)형 홈을 형성하는 공정과, 전체표면부상부에 게이트산화막과 게이트도전층을 소정두께 형성하는 공정과, 상기 게이트도전층과 게이트산화막을 패터닝하여 상기 엔웰과 피웰에 게이트전극을 형성하고 상기 경계부에 캐패시터를 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 홈은 상기 엔웰과 피웰에 각각 같은 크기로 대칭되게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 홈은 순수한 CF4가스를 이용한 식각공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 캐패시터는 폴리 투 실리콘 캐패시터인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 장벽금속 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950066155A KR970054121A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체소자의 캐패시터 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950066155A KR970054121A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체소자의 캐패시터 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970054121A true KR970054121A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66637145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950066155A KR970054121A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체소자의 캐패시터 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970054121A (ko) |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950066155A patent/KR970054121A/ko not_active Application Discontinuation
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