KR960002560A - 반도체소자의 콘택 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 콘택 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 콘택 제조방법에 관한 것으로, 256메가 디램(DRAM) 이상의 고집적 반도체소자에서 콘택홀을 형성하는 플라즈마 식각공정에서 발생된 +전하가 콘택마스크에 대전(charging)되는 것을 방지하여 미세한 크기의 양호한 프로파일을 갖는 콘택홀이 혈성되도록 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도 및 제4도는 본 발명에 의해 콘택마스크를 도전층으로 사용하여 반도체소자의 콘택홀을 형성한 단면도.
Claims (3)
- 반도체소자의 콘택 제조방법에 있어서, 절연층상부에 도전성 콘택마스크를 형성하는 단계와, 플라즈마 식각으로 노출된 절연층을 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계로 이루어지는 반도체소자의 콘택 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연층은 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도전성 콘택마스크는 도프된 폴리실리콘층인것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940014245A KR960002560A (ko) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 반도체소자의 콘택 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940014245A KR960002560A (ko) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 반도체소자의 콘택 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960002560A true KR960002560A (ko) | 1996-01-26 |
Family
ID=66686293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940014245A KR960002560A (ko) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 반도체소자의 콘택 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960002560A (ko) |
-
1994
- 1994-06-22 KR KR1019940014245A patent/KR960002560A/ko not_active Application Discontinuation
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