KR970052367A - 반도체 장치의 콘택홀 형성방법 - Google Patents
반도체 장치의 콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
동일한 면적에서 콘택홀 저항이 낮은 반도체 장치의 콘택홀 형성방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 반도체 기판상의 콘택홀이 형성될 위치에 부분산화 공정을 통하여 형성하는 단계와, 상기 산화막을 제거하여 상기 반도체 기판에 단차를 형성하는 단계와, 상기 단차가 형성된 상기 반도체 기판의 전면에 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막을 식각하여 단차가 형성된 부위에 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀을 매립하는 도전막을 형성하는 단계로 구성되어 상기 도전막과 반도체 기판의 접촉계면의 유효면적을 증가시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 일정한 면적 및 활성영역의 일정한 도핑농도에서 콘택홀의 접촉계면의 유효면적을 증가시킴으로써 저저항성 콘택홀을 얻을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제4도는 본 발명에 의한 반도체 장치의 콘택홀 형성방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.
Claims (1)
- 반도체 기판상의 콘택홀이 형성될 위치에 부분산화 공정을 통하여 산화막을 형성하는 단계; 상기 산화막을 제거하여 상기 반도체 기판에 단차를 형성하는 단계; 상기 단차가 형성된 상기 반도체 기판의 전면에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막을 식각하여 단차가 형성된 부위에 콘택홀을 형성하는 단계; 및 상기 콘택홀을 매립하는 도전막을 형성하는 단계로 구성되어 상기 도전막과 반도체 기판의 접촉계면의 유효면적을 증가시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057128A KR970052367A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 장치의 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057128A KR970052367A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 장치의 콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052367A true KR970052367A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66618949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950057128A KR970052367A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 장치의 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052367A (ko) |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR1019950057128A patent/KR970052367A/ko not_active Application Discontinuation
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