KR970052391A - 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법 - Google Patents
반도체 장치의 콘택홀 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 장치의 패턴이 조밀한 영역의 콘택홀을 자기정렬콘택의 방법으로 형성하여 공정을 단순화 할 수 있는 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법에 관한 것으로, 반도체 기판상에 두 개의 하부도전층을 형성하는 공정과; 상기 하부도전층을 포함하여 상기 반도체 기판상에 제1층간절연막을 형성하는 공정과; 상기 제1층간 절연막상에 제2층간절연막을 형성하여 콘택홀이 형성될 영역을 정의하는 공정과; 상기 콘택홀이 형성될 영역의 저면의 상기 제2층간절연막을 식각하여 제거하는 공정과; 상기 콘택홀이 형성될 영역의 저면의 상기 제1층간절연막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 공정과; 상기 콘택홀을 도전체로 충전하는 공정을 포함하고 있다. 이와 같은 방법에 의해서, 반도체 장치의 패턴이 조밀한 영역에 콘택홀을 형성할 수 있고, 아울러 랜딩패드를 형성하지 않음으로써 반도체 장치의 콘택홀을 형성하는 제조 공정을 단순화할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2E도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법을 보여주고 있는 도면.
Claims (2)
- 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법에 있어서, 반도체 기판(10)상에 두 개의 하부도전층(12)을 형성하는 공정과; 상기 하부도전층(12)을 포함하여 상기 반도체 기판(10)상에 제1층간절연막(14)을 형성하는 공정과; 상기 제1층간 절연막(14)상에 제2층간절연막(15)을 형성하여 콘택홀이 형성될 영역(20a)을 정의하는 공정과; 상기 콘택홀이 형성될 영역(20a)의 저면의 상기 제2층간절연막(15)을 식각하여 제거하는 공정과; 상기 콘택홀이 형성될 영역(20a)의 상기 제1층간절연막(14)을 식각하여 콘택홀(20)을 형성하는 공정과; 상기 콘택홀(20)을 도전체(22)로 충전하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 콘택홀(20)의 저면의 상기 제2층간절연막(15)은 상기 콘택홀(20)을 제외한 영역에 형성된 제2층간절연막(15)에 비해 상대적으로 얇은 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950059313A KR970052391A (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950059313A KR970052391A (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970052391A true KR970052391A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66619953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950059313A KR970052391A (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970052391A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100728965B1 (ko) * | 2005-12-15 | 2007-06-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
-
1995
- 1995-12-27 KR KR1019950059313A patent/KR970052391A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100728965B1 (ko) * | 2005-12-15 | 2007-06-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
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