KR970052391A - 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 장치의 패턴이 조밀한 영역의 콘택홀을 자기정렬콘택의 방법으로 형성하여 공정을 단순화 할 수 있는 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법에 관한 것으로, 반도체 기판상에 두 개의 하부도전층을 형성하는 공정과; 상기 하부도전층을 포함하여 상기 반도체 기판상에 제1층간절연막을 형성하는 공정과; 상기 제1층간 절연막상에 제2층간절연막을 형성하여 콘택홀이 형성될 영역을 정의하는 공정과; 상기 콘택홀이 형성될 영역의 저면의 상기 제2층간절연막을 식각하여 제거하는 공정과; 상기 콘택홀이 형성될 영역의 저면의 상기 제1층간절연막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 공정과; 상기 콘택홀을 도전체로 충전하는 공정을 포함하고 있다. 이와 같은 방법에 의해서, 반도체 장치의 패턴이 조밀한 영역에 콘택홀을 형성할 수 있고, 아울러 랜딩패드를 형성하지 않음으로써 반도체 장치의 콘택홀을 형성하는 제조 공정을 단순화할 수 있다.

Description

반도체 장치의 콘택홀 형성 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2A도 내지 제2E도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법을 보여주고 있는 도면.

Claims (2)

1. 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법에 있어서, 반도체 기판(10)상에 두 개의 하부도전층(12)을 형성하는 공정과; 상기 하부도전층(12)을 포함하여 상기 반도체 기판(10)상에 제1층간절연막(14)을 형성하는 공정과; 상기 제1층간 절연막(14)상에 제2층간절연막(15)을 형성하여 콘택홀이 형성될 영역(20a)을 정의하는 공정과; 상기 콘택홀이 형성될 영역(20a)의 저면의 상기 제2층간절연막(15)을 식각하여 제거하는 공정과; 상기 콘택홀이 형성될 영역(20a)의 상기 제1층간절연막(14)을 식각하여 콘택홀(20)을 형성하는 공정과; 상기 콘택홀(20)을 도전체(22)로 충전하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 콘택홀(20)의 저면의 상기 제2층간절연막(15)은 상기 콘택홀(20)을 제외한 영역에 형성된 제2층간절연막(15)에 비해 상대적으로 얇은 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.