KR970024133A - 반도체 소자의 저장전극 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 저장전극 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 저장 전극 형성방법에 관한 것으로, 저장전극 콘택마스크를 이용하여 반도체 기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성하고 상기 예정된 부분에 접속되는 제1도전층을 형성한 다음, 그 상부에 제1절연막과 제2전도층을 순차적으로 각각 일정두께 형성하고 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 상기 제2도전층, 제1절연막 및 일정두께의 제1전도층을 식각한 다음, 상기 식각면에 제2절연막 스페이서를 형성하고 상기 제2절연막 스페이서 측벽에 제3도전층 스페이서를 형성하는 동시에 상기 제2도전층을 제거한 다음, 상기 제1,2절연막을 제거함으로써 실린더형 내부에 도전층이 접속되는 구조로 표면적이 증가된 저장전극을 형성하고 후공정으로 고집적된 반도체소자의 정전용량을 충족시키는 캐패시터를 형성함으로써 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1G도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 저장전극 형성방법을 설명하기 위한 단면도.
Claims (3)
- 저장전극 콘택마스크를 이용하여 식각공정으로 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀을 통하여 제1도전층을 상기 예정된 부분에 접속시키는 공정과, 전체표면상부에 제1절연막과 제2전도층을 각각 일정두께 형성하는 공정과, 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 상기 제2도전층, 제1절연막 및 일정두께의 제1도전층을 순차적으로 식각하는 공정과, 상기 식각공정으로 인한 식각면에 제2절연막 스페이서를 형성하는 공정과, 전체표면상부에 제3도전층을 일정두께 형성하는 공정과, 상기 하부절연층이 노출될 때까지 전면식각하여 상기 제2절연막 스페이서의 측벽에 제3도전층 스페이서를 형성하되, 제2도전층이 식각되는 공정과, 상기 제1,2절연막을 제거하는 공정을 포함하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1,2절연막은 상기 제1,2,3도전층과 식각선택비 차이가 있는 절연물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1,2절연막 제거공정은 상기 제1,3도전층과의 식각선택비 차이를 이용한 습식방법으로 실시되는 것을 특징으로하는 반도체소자의 저장 전극 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019950037697A KR970024133A (ko) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | 반도체 소자의 저장전극 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019950037697A KR970024133A (ko) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | 반도체 소자의 저장전극 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970024133A true KR970024133A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66584758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950037697A KR970024133A (ko) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | 반도체 소자의 저장전극 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970024133A (ko) |
-
1995
- 1995-10-27 KR KR1019950037697A patent/KR970024133A/ko not_active Application Discontinuation
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