KR970054122A - 반도체소자의 저장전극 형성방법 - Google Patents
반도체소자의 저장전극 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 저장전극 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하고 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 상기 반도체 기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성한 다음, 상기 콘택홀을 통하여 상기 예정된 부분에 접속되는 제1도전층과 회생절연막을 순차적으로 각각 소정두께 형성하고 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 상기 회생절연막과 제1도전층을 식각한 다음, 식각선택비 차이를 이용하여 상기 제1도전층을 측면식각하여 언더컷을 형성하고 상기 회생절연막과 제1도전층 측벽에 제2도전층 스페이서를 형성한 다음, 상기 회생절연막을 제거하고 표면적이 증가된 저장전극을 형성함으로써 반도체소자의 고집적화에 충반한 정전용량을 확보할 수 있는 캐패시터를 형성할 수 있어 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1D도는 본 발의 실시예에 따른 반도체소자의 저장전극 형성방법을 도시한 단면도.
Claims (3)
- 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하는 공정과, 저장전극 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 상기 반도체 기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀을 통하여 상기 예정된 부분에 접속되는 제1도전층을 형성하는 공정과, 상기 제1도전층 상부에 회생절연막을 소정두께 형성하는 공정과, 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 상기 회생절연막과 제1도전층을 식각하는 공정과, 상기 제1도전층을 소정두께 측면식각하여 언더컷이 형성되는 공정과, 상기 하부절연층 상부의 구보물 측벽에 제2도전층 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 회생절연막을 제거하는 공정을 포함하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 측면식각은 상기 회생절연막과의 식각선택비 차이를 이용한 동방성식각공정으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 회생절연막은 상기 도전층과의 식각선택비 차이를 이용한 습식방법으로 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950066166A KR970054122A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체소자의 저장전극 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950066166A KR970054122A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체소자의 저장전극 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970054122A true KR970054122A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66637186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950066166A KR970054122A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체소자의 저장전극 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970054122A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100369868B1 (ko) * | 1999-06-04 | 2003-01-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 저장전극 형성방법 |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950066166A patent/KR970054122A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100369868B1 (ko) * | 1999-06-04 | 2003-01-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 저장전극 형성방법 |
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