KR970030777A - 반도체 장치의 캐패시터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체기판상에 형성된 제 1절연막에 콘택홀을 형성하고, 콘택홀과 제 1절연막 위에 도전물질층을 형성한 후, 도전물질층 위에 절연막을 형성시키고, 절연막과 도전물질층을 선택식각하여 하부에 도전물질층이 형성되고, 상부에 절연막이 형성된 기둥을 형성시키고, 기둥의 측면에 도전물질측벽을 형성시키고, 기둥 상부의 절연막을 제거하여 실린더형의 캐패시터전극을 형성시키는 단계를 포함하여 이루어지는 반도체 장치의 캐패시터 제조방법에 있어서, 기둥의 측면에 도전물질측벽을 형성시킨 후에, 도전물질측벽과 기둥 상부에 형성된 절연막을 선택적으로 건식각하여, 도전물질측벽의 상부가 곡선의 프로파일을 갖도록 하는 단계를 부가하여 이루어지고, 다른 방법으로는 실린더형의 캐패시터 전극 위에 폴리실리콘층을 형성시킨 후에, 폴리실리콘층의 두께 이상으로 제거하여 실린더형의 캐패시터 전극의 상부가 곡선의 프로파일을 갖도록 하는 단계를 부가하여 이루어지고, 또 다른 방법으로는 실린더형의 캐패시터 전극 위에 물질층을 형성시키고, 물질층을 제거하여, 물질층이 제거되면서 실린더형의 캐패시터전극의 상부가 곡선의 프로파일을 갖도록 하는 단계를 부가하여 이루어지고, 또는 실린더형의 캐패시터전극의 상면에 산화물질막을 형성시키고, 산화물질막을 제거하여 실린더형의 캐패시터전극의 상부가 곡선의 프로파일을 갖도록 하는 단계를 부가하여 이루어진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2도는 본 발명의 반도체 장치의 캐패시터 제조방법을 설명하기 위한 도면.
Claims (9)
- 반도체기판상에 형성된 제 1절연막에 콘택홀을 형성하고, 상기 콘택홀과 제 1절연막 위에 도전물질층을 형성한 후, 상기 도전물질층 위에 제 2절연막을 형성시키고, 상기 제 2절연막과 도전물질층을 선택식각하여 하부에 도전물질층이 형성되고, 상부에 제 2절연막이 형성된 기둥을 형성시키고, 기둥의 측면에 도전물질측벽을 형성시키고, 상기 기둥 상부의 제 2절연막을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 반도체 장치의 캐패시터 제조방법에 있어서, 상기 기둥의 측면에 도전물질측벽을 형성시킨 후에, 상기 도전물질측벽과 기둥 상부에 형성된 상기 제 2절연막을 선택적으로 건식각하여, 상기 도전물질측벽의 상부가 곡선의 프로파일을 갖도록 하는 단계를 부가하여 이루어지는 반도체 장치의 캐패시터 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 도전물질측벽의 식각선택성을 고려하면서 상기 기둥 상부에 형성된 제 2절연막의 일부를 CF₄, CHF₃, O₂, Ar 등의 혼합가스의 분위기 속에서 약 40℃와 약 260mTorr 정도의 압력으로 건식각하여, 상기 도전물질측벽의 상부가 곡선의 프로파일을 갖도록 하면서, 상기 기둥 상부의 상기 제 2절연막도 일부 제거되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 캐패시터 제조방법.
- 반도체기판상에 형성된 제 1절연막에 콘택홀을 형성하고, 상기 콘택홀과 상기 제 1절연막 위에 도전물질층을 형성한 후에, 상기 도전물질층 위에 제 2절연막을 형성시키고, 상기 제 2절연막과 상기 도전물질층을 선택식각하여 하부에 도전물질층이 형성되고, 상부에 상기 제 2절연막이 형성된 기둥을 형성시키고, 기둥의 측면에 도전물질측벽을 형성시키고, 상기 기둥 상부의 상기 제 2절연막을 제거하여 실린더형의 캐패시터전극을 형성시키는 단계를 포함하여 이루어지는 반도체 장치의 캐패시터 제조방법에 있어서, 상기 실린더형의 캐패시터 전극 위에 소정 두께의 폴리실리콘층을 형성시킨 후에, 상기 폴리실리콘층의 두께 이상으로 제거하여 상기 실린더형의 캐패시터전극의 상부가 곡선의 프로파일을 갖도록 하는 단계를 부가하여 이루어지는 반도체 장치의 캐패시터 제조방법.
- 제 3항에 있어서, 상기 폴리실리콘층은 폴리실리콘을 라이트 데포지션하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 캐패시터 제조방법.
- 제 3항에 있어서, 상기 폴리실리콘층은 약 100에서 200Å 정도의 두께로 형성시키고, 소정의 가스분위기에서 상기 폴리실리콘층의 상면에서 약 300Å정도의 두께 깊이로 건식각하여 상기 실린더형의 캐패시터 상부가 곡선의 프로파일을 갖도록 하는 단계를 부가하여 이루어지는 반도체 장치의 캐패시터 제조방법.
- 제 5항에 있어서, 상기 폴리실리콘층은 Cl₂와 HBr의 혼합가스 분위기에 건식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 캐패시터 제조방법.
- 반도체기판상에 형성된 제 1절연막에 콘택홀을 형성하고, 상기 콘택홀과 제 1절연막 위에 도전물질층을 형성한 후, 상기 도전물질층 위에 제 2절연막을 형성시키고, 상기 제 2절연막과 도전물질층을 선택식각하여 하부에 도전물질층이 형성되고, 상부에 제 2절연막이 형성된 기둥을 형성시키고, 기둥의 측면에 도전물질측벽을 형성시키고, 상기 기둥 상부의 제 2절연막을 제거하여 실린더형의 캐패시터전극을 형성시키는 단계를 포함하여 이루어지는 반도체 장치의 캐패시터 제조방법에 있어서, 상기 실린더형 캐패시터 전극의 상면에 산화물질막을 형성시키고, 상기 산화물질막을 제거하여 상기 실린더형의 캐패시터전극의 상부가 곡선의 프로파일을 갖도록 하는 단계를 부가하여 이루어지는 반도체 장치의 캐패시터 제조방법.
- 제 7항에 있어서, 상기 산화물질막은 CF₄분위기 속에서 식각하여 제거시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 캐패시터 제조방법.
- 제 7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 산화물질막은 상기 실린더형의 캐패시터전극을 열처리하여, 상기 실린더형의 캐패시터전극 표면에 자연산화막이 형성되도록 하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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