KR960026804A - 반도체소자의 스택 캐패시터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 스택 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하고, 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 상기 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성한 다음, 상기 콘택홀을 통하여 상기 반도체기판에 접속되는 도전층을 형성하고 상기 도전층 상부에 저장전극마스크를 이용하여 감광막패턴을 형성한 다음, 상기 감광막패턴의 측벽에 일정두께 폴리머를 형성하고 상기 감광막패턴과 폴리머를 마스크로하여 상기 도전층을 식각한 다음, 상기 감광막패턴과 폴리머를 제거함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성하고 후공정에서 충분한 정전용량을 확보할 수 있는 캐패시터를 형성할 수 있어 반도체소자의 신뢰성을 향상 및 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 스택 캐패시터 제조공정을 도시한 단면도.
Claims (3)
- 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하는 공정과, 저장전극 콘택마스크를 이용하여 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀을 통하여 상기 반도체기판에 콘택되는 도전층을 형성하는 공정과, 상기 도전층 상부에 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴 측벽에 폴리머를 일정두께 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴과 폴리머를 마스크로하여 상기 도전층을 식각하고 상기 감광막패턴과 폴리머를 제거함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 스택 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 감광막패턴을 저장전극 마스크를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 스택 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리머는 일정시간 산소플라즈마처리하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 스택 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940033533A KR960026804A (ko) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | 반도체소자의 스택 캐패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940033533A KR960026804A (ko) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | 반도체소자의 스택 캐패시터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026804A true KR960026804A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66688324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940033533A KR960026804A (ko) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | 반도체소자의 스택 캐패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026804A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100447263B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2004-09-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 식각 폴리머를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
| KR100643426B1 (ko) * | 1998-07-28 | 2006-11-13 | 지멘스 악티엔게젤샤프트 | 스택 캐패시터용 테이퍼형 전극 |
-
1994
- 1994-12-09 KR KR1019940033533A patent/KR960026804A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100643426B1 (ko) * | 1998-07-28 | 2006-11-13 | 지멘스 악티엔게젤샤프트 | 스택 캐패시터용 테이퍼형 전극 |
| KR100447263B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2004-09-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 식각 폴리머를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
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