KR950030235A - 반도체 장치의 콘택홀 형성방법 - Google Patents

반도체 장치의 콘택홀 형성방법 Download PDF

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KR950030235A KR1019940007532A KR19940007532A KR950030235A KR 950030235 A KR950030235 A KR 950030235A KR 1019940007532 A KR1019940007532 A KR 1019940007532A KR 19940007532 A KR19940007532 A KR 19940007532A KR 950030235 A KR950030235 A KR 950030235A
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이승구
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Abstract

도전 콘택(contact)을 위한 콘택홀(contact hole) 형성방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 반도체 기판상에 제1절연막을 형성하는 공정과, 상기 제1절연막상에 제1피복층을 형성하는 공정과, 상기 제1피복층의 일정 부분을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 상기 포토레지스트 패턴의 측벽에 스페이서 구조의 제2절연막 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 제2절연막 스페이서를 마스크로 하여 상기 제1피복층을 식각하는 공정과, 상기 포토레지스트 패턴 및 상기 제2절연막 스페이서를 제거하는 공정과, 상기 식각된 제1피복층을 마스트로 하여 상기 제1절연막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 공정을 포함한다. 본 발명에 의하면, 식각된 제1피복층르 마스크로 하여 콘택홀을 형성하므로, 콘택의 상부와 하부의 임계크기를 동일하게 조절할 수 있다. 이로 인해 스토리지 전극의 상부를 종래기술에 비해 작게 조절하여 다양한 구조의 커패시터 형성을 용이하게 하고 비트라인 전극 콘택일 경우 비트라인 전극 콘택과 비트라인과의 오버랩 마진을 증가시켜 마진있는 레이아우트가 가능하다. 또한 콘택홀 형성후 피복층을 제거하므로 불필요한 막질로 인한 단차증가를 피할 수 있으며, 피복층을 완전히 제거하므로 콘택홀 형성후에 실시하는 세정공정으로 인한 콘택홀 내의 잔여물질이 남지 않아 비트 페일의 유발 가능성을 줄일 수 있다.

Description

반도체 장치의 콘택홀 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제11도 내지 제19도는 본 발명에 의한 콘택홀 형성방법의 제1실시예를 공정순서대로 도시한 단면도들이다.

Claims (11)

  1. 반도체 기판상에 제1절연막을 형성하는 공정; 상기 제1절연막상에 제1피복층을 형성하는 공정; 상기 제1피복층의 일정부분을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정; 상기 포토레지스트 패턴의 측벽에 스페이서 구조의 제2절연막 스페이서를 형성하는 공정; 및 상기 제2절연막 스페이서를 마스크로 하여 상기 제1피복층을 식각하는 공정; 상기 포토레지스트 패턴 및 상기 제2절연막 스페이서를 제거하는 공정; 상기 식각된 제1피복층을 마스크로 하여 상기 제1절연막을 식각하게 콘택홀을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1피복층을 텅스텐을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 콘택홀 형성후에 상기 제1피복층을 제거하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제1피복층은 500∼2000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제1피복층의 제거는 과산화 수소(H2O2)를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제2절연막 스페이서는 산화막을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법.
  7. 반도체 기판상에 제1절연막을 형성하는 공정; 상기 제1절연막상에 제1피복층을 형성하는 공정; 상기 제1피복층을 패터닝하여 상기 제1피복층을 일정부분을 노출시키는 제1피복층 패턴을 형성하는 공정; 상기 제1피복층 패턴의 측벽에 스페이서 구조의 제2피복층 스페이서를 형성하는 공정; 및 상기 제2피복층 스페이서를 마스크로 하여 상기 제1절연막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1피복층 및 제2피복층 스페이서는 텅스텐을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 제1피복층은 500∼4000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 콘택홀 형성후에 사익 제1피복층 패턴 및 제2피복층 스페이서를 제거하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제1피복층 패턴 및 제2피복층 스페이서의 제거는 과산화 수소(H2O2)를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
KR1019940007532A 1994-04-11 1994-04-11 반도체 장치의 콘택홀 형성방법 KR0138292B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100422816B1 (ko) * 1996-06-28 2004-06-16 주식회사 하이닉스반도체 반도체장치의콘택식각방법

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