KR980005486A - 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 콘택홀 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 반도체시판 상부에 게이트절연막을 소정두께 형성하고 전체표면상부에 게이트전극용 도전층을 형성한 다음, 상기 도전층을 노광마스크를 이용하여 식각함으로써 상기 게이트절연막 상부에 게이트전극을 형성하는 동시에 도전층패턴을 형성하되, 후속공정에서 콘택홀이 형성될 부분에 상기 도전층 패턴을 형성하고 전체표면상부에 평탄화층을 형성한 다음, 상기 평탄화층을 콘택마스크를 이용한 식각 공정으로 식각함으로써 상기 도전층패턴을 노출시키는 흠을 형성하고, 상기 홈의 측벽에 절연막 스페이서를 형성한 다음, 상기 도전층패턴을 제거하는 공정을 콘택홀을 형성하여, 종래기술이 세번의 식각공정으로 상기 반도체기판이 손상되는데 비하여, 상기 노광마스크를 이용한 식각공정시에만 상기 반도체기판이 손상되어 후속공정으로 형성되는 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.

Description

반도체 소자의 콘택홀 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2e도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 콘택홀 형성방법을 도시한 단면도.

Claims (4)

  1. 반도체시판 상부에 게이트절연막을 소정두께 형성하는 공정과, 전체표면상부에 게이트전극용 도전층을 형성하는 공정과, 상기 도전층을 노광마스크를 이용하여 식각함으로써 상기 게이트절연막 상부에 게이트전극을 형성하는 동시에 도전층패턴을 형성하되, 후속공정에서 콘택홀이 형성될 부분에 상기 도전층 패턴을 형성하는 공정과, 전체표면상부에 평탄화층을 형성하는 공정과, 상기 평탄화층을 콘택마스크를 이용한 식각 공정으로 식각함으로써 상기 도전층패턴을 노출시키는 흠을 형성하는 공정과, 상기 흠의 측벽에 절연막 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 도전층패턴을 제거하는 공정을 포함하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 도전층은 텅스텐 실리사이드로 형성하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 도전층은 티타늄 실리사이드로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 노광마스크는 게이트전극마스크 그리고 상기 게이트전극마스크와 극성이 다른 콘택마스크를 합성하여 형성하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960023254A 1996-06-24 1996-06-24 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 KR100218735B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100570855B1 (ko) * 1998-10-13 2006-08-21 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 콘택홀 형성방법

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