KR950027959A - 반도체 소자의 콘택 형성 방법 - Google Patents

반도체 소자의 콘택 형성 방법 Download PDF

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김천수
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • H10B12/482—Bit lines

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 콘택 형성 방법에 있어서, 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀의 전체구조를 덮는 절연막(15)을 도포하는 단계; 상기 절연막(15)을 전면시각(blanket etch)하여 콘택홀 저면은 노츨시키고, 콘택홀 측벽에는 스페이서 절연막(15')을 형성하는 단계; 전도막(20)을 노출된 콘택홀 저면에 콘택 시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 형성 방법에 관한 것으로, 높은 단차를 갖는 고집적 소자의 콘택 형성시 마스크 패턴의 공정 여부도를 충분히 확보 할 수 있으므로 반도체 소자의 신뢰도를 한층 증가시킬 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 소자의 콘택 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도 내지 제6도는 본 발명에 따른 DRAM비트라인 콘택 형성 방법을 도시한 RAM 제조 공정도.

Claims (1)

  1. 반도체 소자의 콘택 형성 방법에 있어서, 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀의 전체구조를 덮는 절연막(15)을 도포하는 단계; 상기 절연막(15)을 전면시각(blanket etch)하여 콘택홀 저면은 노츨시키고, 콘택홀 측벽에는 스페이서 절연막(15')을 형성하는 단계; 전도막(20)을 노출된 콘택홀 저면에 콘택 시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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