KR970003994A - 반도체소자 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자 제조방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하고 반도체기판에 접속되는 저장전극을 형성한 다음, 상기 저장전극의 표면에 유전체막을 형성하고 전체표면 상부에 플레이트전극을 형성한 다음, 그 상부에 평탄화층을 형성하고 비트라인 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 콘택홀을 형성한 다음, 상기 콘택홀의 측벽에 절연막 스페이서를 형성하고 상기 콘택홀을 통하여 반도체기판의 예정된 부분에 접속되는 비트라인을 형성함으로써 상기 캐패시터의 비트라인의 단락을 방지하여 반도체소자의 절연 특성을 향상시켜 반도체소자의 신뢰성 및 특성을 향상시킬 수 있는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명의 실시에에 따른 반도체소자의 캐패시터 제조공정을 도시한 단면도.
Claims (5)
- 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판의 예정된 부분에 접속되는 저장전극을 형성하는 공정과, 상기 저장전극의 표면에 유전체막을 형성하는 공정과, 전체표면상부에 플레이트전극을 형성함으로써 캐패시터를 형성하는 공정과, 전체표면상부에 제1평탄화층을 형성하는 공정과, 비트라인 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 상기 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀의 측벽에 절연막 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 콘택홀을 통하여 상기 예정된 부분에 접속되는 비트라인을 형성하고 그 상부에 제2평탄화층을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1, 2평탄화층은 BPSG 산화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연막 스페이서는 산화막이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연막 스페이서는 산화질막이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연막 스페이서는 질화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950018904A KR970003994A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체소자 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950018904A KR970003994A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체소자 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003994A true KR970003994A (ko) | 1997-01-29 |
Family
ID=66526027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950018904A KR970003994A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체소자 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970003994A (ko) |
-
1995
- 1995-06-30 KR KR1019950018904A patent/KR970003994A/ko not_active Application Discontinuation
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