KR960026654A - 반도체소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 캐패시터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 반도체기판에 콘택된 제1도전층 상부에 제1절연막을 형성하고 제1저장전극마스크를 이용하여 상기 제1절연막을 식각한 다음, 전체표면상부에 제2도전층을 일정두께 형성하고 그 상부에 제2절연막을 일정두께 형성한 다음, 상기 제2절연막 상부를 평탄화시키는 제3절연막을 형성하고 콘택마스크를 이용하여 상기 제1도전층을 노출시킨 다음, 상기 제1도전층에 접속되는 제3도전층을 일정두께 형성하고 제2저장전극마스크를 이용하여 상기 제1도전층까지 식각한 다음, 상기 절연막을 제거함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성하고 후공정에서 반도체소자의 고집적화에 충분한 정전용량을 확보할수 있는 캐패시터를 형성함으로써 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하고 이에 따른 반도체소자의 신뢰성을 향상시키는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (7)
- 반도체기판 상부에 콘택된 제1도전층 상부에 제1절연막을 형성하는 공정과, 제1저장전극마스크를 이용하여 상기 제1절연막을 식각하는 공정과, 전체표면상부에 제2도전층을 일정두께 형성하는 공정과, 상기 제2도전층 상부에 제2절연막을 일정두께 형성하는 공정과, 상기 제2절연막 상부를 평탄화시키는 제3절연막을 형성하는 공정과, 콘택마스크를 이용하여 상기 제1도전층을 노출시키는 공정과, 상기 제1도전층에 접속되도록 제3도전층을 일정두께 형성하는 공정과, 제2저장전극마스크를 이용하여 상기 제1도전층까지 식각하는 공정과, 상기 제3,2,1절연막을 제거함으로써 표면적인 증가된 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1,2,3도전층은 단차피복성이 우수한 전도물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1,2,3절연막은 상기 제1,2,3도전층과 일정한 식각선택비 차이를 갖는 절연물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 제2절연막은 TEOS로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 제3절연막은 BPSG로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2저장전극마스크는 상기 제1저장전극마스크보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1,2,3절연막은 상기 제1,2,3도전층과의 식각선택비 차이를 이용한 습식방법으로 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039226A KR960026654A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039226A KR960026654A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026654A true KR960026654A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66647743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940039226A KR960026654A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026654A (ko) |
-
1994
- 1994-12-30 KR KR1019940039226A patent/KR960026654A/ko not_active Application Discontinuation
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