KR960026857A - 반도체소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 캐패시터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 하부절연층 및 제1절연막을 순차적으로 형성하고 상기 반도체기판의 예정된 부분에 접속되는 제1도전층을 형성한 다음, 그 상부에 제2절연막을 형성하고 네가티브형 감광막으로 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 제1감광막패턴을 형성한 다음, 이를 이용하여 상기 제1도전층을 노출시키고 상기 제1도전층을 성장시켜 성택적 성장 도전층을 형성한 다음,후공정에서 포지티브형 감광막으로 저장 전극마스크를 이용한 식각공정을 실시하여 형성된 제2감광막패턴을 마스크로 한 식각공정과 스페이서 형성공정 그리고 노출된 절연막 제거공정을 실시하여 표면적이 증가된 저장전극을 형성하고 후공정에서 상기 저장전극의 표면에 유전체막과 플레이트전극을 순차적으로 형성함으로써 반도체소자의 고집적화에 충분한 정전용량을 갖는 캐패시터를 형성하여 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하고 이에따른 반도체소자의 신뢰성을 향상시키는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (9)
- 반도체기판 상부에 하부절연층 및 제1절연막을 순차적으로 형성하는 공정과, 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 상기 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 예정된 부분에 접속되도록 제1도전층을 형성하는 공정과, 상기 제1도전층 상부에 제2절연막을 형성하는 공정과, 상기 제2절연막 상부에 제1감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 제1감광막패턴을 마스크로하여 상기 제2절연막을 식각하여 상기 제1도전층을 노출시키는 공정과, 상기 제1도전층을 선택성장시켜 선택적 성장 도전층을 형성하는 공정과, 상기 제2절연막과 선택적 성장 도전층 상부에 제3절연막 및 제3도전층을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 제3도전층 상부에 제2감광막패턴을 형성하는 공정과,상기 제2감광막패턴을 마스크로하여 상기 제1도전층이 노출되도록 식각하는 공정과, 상기 제1도전층 상부구조의 측벽에 제4절연막을 스페이서를 형성하는 공정과, 전체표면상부에 제3도전층을 형성하는 공정과, 상기 제3도전층과 제1도전층의 두께만큼 전면식각하는 공정과, 상기 제1,3,4 절연막을 습식방법으로 제거함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1,2,3,4 절연막은 상기 제1,2,3 도전층과 일정한 식각비 차이를 갖는 절연물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1,2,3 도전층은 다결정실리콘막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1,2 감광막패턴은 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 사용된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 제1감광막패턴은 네가티브형 감광막으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 제2감광막패턴은 포지티브형 감광막으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제4절연막 스페이서 형성공정은 상기 제1,2 도전층을 식각장벽으로 하여 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전면식각공정은 상기 제1,3,4 절연막을 식각장벽으로 하여 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1,3,4 절연막은 상기 제1,2,3 도전층 및 선택적 성장 도전층과의 식각선택비 차이를 이용한 습식방법으로 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039033A KR960026857A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039033A KR960026857A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026857A true KR960026857A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66647523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940039033A KR960026857A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026857A (ko) |
-
1994
- 1994-12-29 KR KR1019940039033A patent/KR960026857A/ko not_active Application Discontinuation
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