KR960005992A - 반도체소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 캐패시터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 반도체소자가 고집적화됨에 따라 좁은 면적에서 더욱 많은 정전용량을 요구하게 되어 많은 문제점을 발생시켰다. 따라서, 본 발명은 반도체기판 상부에 측면으로부터 홈이 형성된 측벽을 구비하는 실린더형 저장전극을 형성함으로써 저장전극의 표면적을 증가시키고 유전체막과 플레이트전극을 형성함으로써 캐패시터의 정전용량을 증가시켜 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제4도는 본 발명에 따른 반도체소자의 캐패시터 제조공정을 도시한 단면도이다.
Claims (7)
- 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 있어서, 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하고 그 상부에 제1절연막을 증착한 다음, 콘택마스크를 이용하여 상기 반도체기판이 노출되도록 콘택홀을 형성하고 상기 콘택홀을 통하여 상기 반도체기판과 접속되도록 제1도전층을 증착한 다음, 전체구조상부에 제2절연막을 증착하고 그 상부에 제1저장전극 마스크를 형성하는 공정과, 상기 제1저장전극마스크를 이용하여 상기 제2절연막을 식각함으로써 제2절연막패턴을 형성하고 상기 제1저장전극마스크를 제거하는 공정과, 상기 제2절연막패턴의 측벽에 다결정실리콘 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 제2절연막패턴 상부에 선택적 성장 산화막을 형성하고 전체구조 상부에 일정두께의 제2도전층을 증착한 다음, 그 상부에 제2저장전극마스크를 형성하는 공정과, 상기 제2저장전극마스크를 이용하여 상기 제2도전층, 선택적 성장 산화막, 다결정실리콘 스페이서 및 제1도전층을 순차적으로 식각함으로서 제2도전층패턴, 다결정실리콘 스페이서패턴 및 제1도전층패턴을 형성하는 동시에 상기 선택적 성장 산화막과 제1절연막을 노출시키는 공정과, 상기 제2저장전극마스크를 제거하고 상기 선택적 성장 산화막, 제2절여막패턴 및 제1절연막을 습식방법으로 제거함으로써 측벽에 홈이 구비된 실린더형 저장전극을 형성하여 저장전극의 표면적을 증가시키는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법
- 제1항에 있어서, 상기 제1,2절연막은 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법
- 제1항에 있어서, 상기 다결정실리콘 스페이서는 전체구조상부에 다결정실리콘을 일정두께 증착한 다음 이방성식각을 실시하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법
- 제1항에 있어서, 상기 제1,2도전층은 다결정실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법
- 제1항에 있어서, 상기 제1저장전극마스크는 워드라인 형성공정시 사용하는 레티클을 이용하여 감광막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법
- 제1항에 있어서, 상기 습식방법은 BOE 또는 HF용액을 사용하여 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법
- 제1항에 있어서, 상기 제1,2저장전극마스크는 산소플라즈마를 이용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940017785A KR960005992A (ko) | 1994-07-22 | 1994-07-22 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940017785A KR960005992A (ko) | 1994-07-22 | 1994-07-22 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960005992A true KR960005992A (ko) | 1996-02-23 |
Family
ID=66689471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940017785A KR960005992A (ko) | 1994-07-22 | 1994-07-22 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960005992A (ko) |
-
1994
- 1994-07-22 KR KR1019940017785A patent/KR960005992A/ko not_active Application Discontinuation
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