KR960005991A - 반도체소자의 캐패시터 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 캐패시터 및 그 제조방법에 관한 것으로 반도체 소자가 고집적화됨에 따라 좁은 면적에서 더욱 많은 정전용량을 유구하게 되어 많은 문제점을 발생시켰다. 따라서 본 발명은 반도체기판 상부에 측면으로부터 홈이 형성된 측벽을 구비하는 실린더형 저장전극을 형성함으로써 저장전극의 표면적을 증가시키고 유전체막과 플레이트전극을 형성함으로써 캐패시터의 정전용량을 증가시켜 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제7도는 본 발명에 따른 반도체소자의 캐패시터 제조공정을 도시한 단면도이다.
Claims (6)
- 반도체소자의 캐패시터에 있어서, 반도체기판의 예정된 부위에 접속되는 실린더형 저장전극이 형성되되, 상기 실린더형 저장전극의 측벽에 홈이 구비되어 상기 저장전극의 표면적이 증가된 반도체소자의 캐패시터.
- 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 있어서, 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하고 그 상부에 절연막을 증착한 다음, 콘택마스크를 이용하여 상기 반도체기판이 노출되도록 콘택홀을 형성하고 상기 콘택홀을 통하여 상기 반도체기판과 접속되도록 제1도전층을 증착하고 그 상부에 제1저장전극마스크를 형성하는 공정과 상기 제1도전층을 선택적으로 성장시켜 선택적 성장 도전층을 형성하는 공정과 상기 제1저장전극마스크를 제거하고 상기 선택적 성장 도전층의 측벽에 산화막 스페이서를 형성하는 공정과, 사이기 산화막 스페이서를 완전히 도포하지 않도록 상기 산화막 스페이서의 사이에만 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 노출된 산화막 스테이서를 선택적으로 서장시켜 선택적 성장 산화막을 형성하는 공정과, 전체구조상부에 일정두께의 제2도전층을 증착하고 그 상부에 제2저장전극마스크를 형성하나 다음, 상기 제2저장전극마스크를 이용하여 상기 제2도전층, 선택적 성장 산화막, 선택적 성장 도전층 및 제1도전층을 순차적으로 식각함으로써 제2도전층패턴과 선택적 성장 도전층패턴 그리고 제1도전층패턴을 형성하는 공정과, 상기 제2저장전극마스크를 제거하고 상기 선택적 서장 산화막, 산화막 스페이서 및 절연막을 습식방법으로 제거함으로써 실린더형 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 선택적 성장 도전층은 상기 제1저장전극마스크를 성장장벽으로 하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법
- 제2항에 있어서, 상기 선택적 성장 산화막은 상기 선택적 성장 도전층과 감광막패턴을 성장장벽으로 하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법
- 제2항에 있어서, 제1저장전극마스크는 형성하려는 저장전극보다 조금 적게 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법
- 제2항에 있어서, 상기 습식방법은 BOF 또는 HF 용액을 이용하여 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940017299A KR0143338B1 (ko) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940017299A KR0143338B1 (ko) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960005991A true KR960005991A (ko) | 1996-02-23 |
| KR0143338B1 KR0143338B1 (ko) | 1998-07-01 |
Family
ID=66689441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940017299A KR0143338B1 (ko) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0143338B1 (ko) |
-
1994
- 1994-07-18 KR KR1019940017299A patent/KR0143338B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0143338B1 (ko) | 1998-07-01 |
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