KR960008417A - 반도체소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents

반도체소자의 캐패시터 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 반도체소자가 고집적화됨에 따라 좁은 면적에서 더욱 많은 정전용량을 요구하게되어 많은 문제점을 발생시켰다. 따라서, 본 발명은 저장전마스크의 크기조절과 선택적 성장 기술 그리고 습식식각시 식각선택비를 이용하여 표면적이 증가된 저장전극을 형성한 다음, 그 상부에 유전체막과 플레이트전극을 형성함으로써 충분한 정전용량을 확보하는 캐패시터를 제조하는 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.

Description

반도체소자의 캐패시터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제5도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 캐패시터 제조공정을 도시한 단면도.

Claims (5)

  1. 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 있어서, 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하고 그 상부에 제1절연막을 증착한 다음, 전체구조상부에 저장전극용 제1콘택마스크를 형성하는 공정과, 상기 제1절연막을 선택적으로 성장시켜 성장 산화막을 형성하고 상기 저장전극용 제1콘택마스크를 제거하는 공정과, 전체구조상부에 제1도전층을 일정두께 증착하고 전체구조상부에 제2절연막을 도포한 다음, 전면식각공정으로 평탄화시키고 그 상부에 저장전극용 제2콘택마스크를 형성하는 공정과, 상기 저장전극용 제2콘택마스크를 이용하여 상기 제1도전층, 선택적성장 산화막, 제1절연막 및 하부절연층을 순차적으로 시각함으로써 상기 반도체기판의 예정된부분을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀을 통하여 상기 반도체기판에 접속되도록 제2도전층을 일정두께 증착하고 그 상부에 저장전극마스크를 형성하는 공정과, 상기 저장전극마스크를 이용하여 상기 제2도전층, 제2절연막 및 제1도전층을 순차적으로 식각함으로써 제2도전층패턴과 제1도전층패턴을 형성하고 상기 저장전극마스크를 제거하는 공정과, 상기 제2절연막, 제1절연막 및 선택적 성장 산화막을 습식방법으로 제거함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1저장전용 제1콘택마스크는 실제 콘택홀보다 크게 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 선택적 성장 산화막은 상기 저장전극용 제1콘택마스크를 성장장벽으로하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2절연막은 전체구조상부에 절연막을 증착한 다음, 상기 제2도전층까지 전면식각을 실시하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 습식방법은 BOE 용액이나 HF 용액으로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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