KR970054060A - 반도체 메모리 장치의 커패시터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
반도체 장치으 커패시터 제조방법에 관하여 기재하고 있다. 이는, 하부구조물이 형성된 반도체 기판 상에 층간절연층을 형성하는 단계, 그 위에 식각저지층, 절연층 및 제1도전층을 차례로 형성하는 단계, 상기 제1도전층, 절연층, 식각저지층 및 층간절연층을 차레로 식각하여 상기 기판의 일부를 노출시키는 스토리지 전극 콘택홀을 형성하는 단계 및 상기 제1 및 제2도전층을 패터닝하여 상기 기판과접속되는 스토리지 전극을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다. 단일 적층형 커패시터이면서도 그 유효면적을 증가시킬 수 있으므로, 간다한 공정을 이용하여 커패시턴스의 증가가 가능하다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제6도는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 메모리 장치ㅡ 커패시터 제조방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.
Claims (3)
- 하부구조물이 형성된 반도체 기판 상에 층간절연층을 형성하는 단계; 상기 층간절연층 상에 식각저지층, 절연층 및 제1도전층을 차례로 형성하는 단계; 상기 제1도전층, 절연층, 식각저지층 및 층간절연층을 차례로 식각하여 상기 기판의 일부를 노출시키는 스토리지 전극 콘택홀을 형서하는 단계; 상기 층간절연층 및 식각저지층의 측벽에만 스페이서를 형성하는 단계; 상기 절연층 식각을 위한 에천트를 사용하여 상기 절연츠의 일부를 식각함으로써 상기 제1도전츠의 하부에 언더컷을 형성하는 단계; 언터컷이 형성된 상기 결과물 상에 도전물을 증착하여 제2도전층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 및 제2도전층을 패터닝하여 상기 기판과 접속되는 스토리지 전극을 형성하는 단계를 구비하는 것을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2도전층은 상기 절연층 두께의 1/2두께보다 얇게 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 언더컷은 습식식각 시간에 따라 식각되는 양을 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057179A KR970054060A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 메모리 장치의 커패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057179A KR970054060A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 메모리 장치의 커패시터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970054060A true KR970054060A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66619073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950057179A KR970054060A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 메모리 장치의 커패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970054060A (ko) |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR1019950057179A patent/KR970054060A/ko not_active Application Discontinuation
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