KR960019732A - 반도체 소자의 전하저장전극 형성 방법 - Google Patents

반도체 소자의 전하저장전극 형성 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 제1절연막으로 평탄화된 기판의 예정된 부위에 전하저장전극 콘택 홀을 형성하는 단계; 전체구조 상부에 제1전도막을 일정 두께 형성하는 단계; 전체구조 상부에 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 제2절연막 및 제1전도막을 패터닝 하는 단계; 상기 패터닝된 제2절연막 및 제1전도막 측벽에 제2전도막으로 스페이서를 형성하는 단계; 상기 제2절연막 패턴을 제거하는 단계를 포함하여 제1전도막 및 제2전도막으로 이루어지는 표면적이 극대화된 포크(Fork) 형상으로 전하저장전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장 전극 형성 방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 전하저장전극 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1E도는 본 발명의 일실시예에 따른 전하저장전극 형성 공정도.

Claims (5)

  1. 제1절연막으로 평탄화된 기판의 예정된 부위에 전하저장전극콘택 홀을 형성하는 단계; 전체구조 상부에 제1전도막을 일정두께 형성하는 단계; 전체구조 상부에 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 제2절연막 및 제1전도막을 패터닝 하는 단계; 상기 패터닝된 제2절연막 및 제1전도막 측벽에 제2전도막으로 스페이서를 형성하는 단계; 상기 제2절연막 패턴을 제거하는 단계를 포함하여 제1전도막 및 제2전도막으로 이루어지는 표면적이 극대화된 포크(Fork) 형상으로 전하저장전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법.
  2. 제1항에 있어서; 상기 제1전도막 및 제2전도막은 도핑된 폴리실리콘막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장전극 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서; 상기 제2절연막 패턴은 제1절연막 보다 식각 속도가 빠른 소정의 절연막 식각용액에서 습식식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장전극 형성 방법.
  4. 제3항에 있어서; 상기 제1절연막은 TEOS막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장전극 형성 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제2절연막은 03-PSG막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장전극 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940031850A 1994-11-29 1994-11-29 반도체소자의 전하저장전극 및 그 제조방법 KR0172288B1 (ko)

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