KR970054054A - 반도체 장치의 커패시터 제조방법 - Google Patents
반도체 장치의 커패시터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
스토리지 전극 간의 단락문제를 해결할 수 있는 반도체 장치으 캐패시터 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 트랜지스터가 형성된 반도체 기판 상에 콘택홀을 갖는 산화막을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀을 매립하는 스토리지 전극용 제1전도층을 형성하는 단계와, 상기 제1전도층 상에 제1절연막을 형성하느 단계와, 상기 제1절연막을 에치백하여 상기 콘택홀의 상부에 형성된 상기 제1전도츠의 함몰된 부위에 매몰 절연막을 형성하는 단계와, 상기 매몰 절연막을 마스크로 상기 제1도전층을 함몰된 부위에매몰 절연막을 형성하는 단계와, 상기 제1도전층을 이방성 식각하여 제1도전층 패턴이 형성된 상기 기판의 전면에 스토리지 전극용 제2도전층 및 제2절연막을 형성하는 단게와, 상기 제2절연막을 입장성 식각하여 상기 제2도전층 주위에 절연막 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 절연막 스페이서 및 매몰 절연막을 식각하여 상기 제2도전층을 이방성 식각하여 제2도전층 패턴을 형성하는단계와; 상기 제2절연막 및 노출된 상기 매몰 절연막을 제거하여 스토리지전극을 형성하는 단게를 구비함을 특징으로 하는 반도체 장치의 캐패시터 제조방법을 제공한다. 본 발명에 의하면 스토리지 전극 형성을 위한 사진공정을 생략함으로서 이로 인해 유발될 수 있는 스토리지 전극간 단락(short) 등의 문제를 해결할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도 내지 제10도는 본 발명에 의한 반도체 장치의 커패시터 제조방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들 이다.
Claims (1)
- 트랜지스터가 형성된 반도체 기판 상에 상기 콘택홀을 갖는 산화막을 형성하는 단계; 상기 콘택홀을 매립하는 스토리지 전극용 제1도전층을 형성하는 단계; 상기 제1도전층 상에 제1절연막을 형성하는 단계; 상기제1절연막을 에치백하여 상기 콘택홀의 상부에 형성된 상기 제1도전층의 함몰된 부위에 매몰 절연막을 형성하는 단계; 상기 매몰 절연막을 마스크로 상기 제1도전층을 이방성 식각하여 제1도전층 패턴을 형성하는 단계; 상기 매몰 절연막을 마스크로 상기 제1도전층을 이방성 식각하여 제1도전층 패턴이 형성하는 단계; 상기 제1도전층 패턴이 형성된 상기 기판의 전면에 스토리지 전극용 제2도전층 및 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 제2절연막을 이방성 식각하여 상기 제2도전층 주위에 절연막 스페이서를 형성하는 단계; 상기 제2절연막을 이방성 식각하여 상기 제2도전층 주위에 절연막 스페이서를 형성하는 단계; 상기 제2절연막 스페이서 및 매몰 절연막을마스크로 상기 제2도전층을 이방성 식각하여 제2도전층 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제2절연막 및 노출된 상기 매몰 절연막을 제거하여 스토리지전극을 형성하는 단계를 구비함을 특징으로 하는 반도체 장치의 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950057120A KR970054054A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 장치의 커패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950057120A KR970054054A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 장치의 커패시터 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR970054054A true KR970054054A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66619006
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019950057120A KR970054054A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 장치의 커패시터 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR970054054A (ko) |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR1019950057120A patent/KR970054054A/ko not_active Application Discontinuation
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