KR960001888A - 반도체소자의 콘택 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 콘택 제조방법에 관한것으로, 반도체기판상에 제1절연막을 형성하고, 상기 반도체기판상에 상측 도전패턴과의 콘택으로 예정되어 있는 부분상의 제1절연막 표면에 감광막패턴을 형성하며, 상기 감광막패턴과 비선택성이 있는 액상증측 산화막으로 나머지 제1절연막상에 제2절연막을 형성한 후, 상기 감광막패턴을 제거하고 다시 제3절연막을 형성하며, 상기 콘택으로 예정되어 있는 부분상의 제1 및 제3절연막이 모두 제거되도록 전면 이방성식각을 실시하여 콘택홀을 형성하였으므로, 콘택홀을 감광막패턴의 분해능 한계치 이하로 미세하게 형성할 수 있어 소자의 고집적화에 유리하고, 공정여유도가 증가되어 소자동작의 신뢰성과 공정수율을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1D도는 본 발명에 따른 반도체소자의 콘택 제조공정도.
Claims (2)
- 반도체기판상에 게이트 산화막을 형성하는 공정과, 상기 게이트산화막 상에 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극의 측벽에 절연 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 게이트전극 양측의 반도체기판에 확산영역을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 제1절연막을 형성하는 공정과, 상기 확산영역에서 상측 도전패턴과의 콘택으로 예정되어 있는 부분상의 제1절연막 표면에 감광막팰턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴이 형성되어 있지 않은 나머지 제1절연막상에 액상증측 산화막으로된 제2절연막을 상기 제1절연막 보다 두껍게 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 제거하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 상기 감광막패턴이 제거되어 형성된 홈을 메운지 않는 정도의 두께로서 상기 제1절연막과의 두께의 합이 상기 제2절연막 보다 얇은 제3절연막을 형성하는 공정과, 상기 확산영역상의 제3 및 제1절연막을 전면 이방성 식각 방법으로 제거하여 확산영역을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀을 통하여 상기 확산영역과 접촉되는 상측 도전패턴을 형성하는 공정을 구비하는 반도체소자의 콘택 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 상측 도전패턴이 비트라인인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940015439A KR100284071B1 (ko) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 반도체소자의 콘택 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019940015439A KR100284071B1 (ko) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 반도체소자의 콘택 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR960001888A true KR960001888A (ko) | 1996-01-26 |
KR100284071B1 KR100284071B1 (ko) | 2001-04-02 |
Family
ID=66688948
Family Applications (1)
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KR1019940015439A KR100284071B1 (ko) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 반도체소자의 콘택 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR100284071B1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990025130A (ko) * | 1997-09-10 | 1999-04-06 | 윤종용 | 반도체장치의 콘택홀 형성방법 |
KR100604801B1 (ko) * | 2000-02-28 | 2006-07-26 | 삼성전자주식회사 | 감광막 패턴을 사용하는 자기정렬 콘택 형성방법 |
-
1994
- 1994-06-30 KR KR1019940015439A patent/KR100284071B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990025130A (ko) * | 1997-09-10 | 1999-04-06 | 윤종용 | 반도체장치의 콘택홀 형성방법 |
KR100604801B1 (ko) * | 2000-02-28 | 2006-07-26 | 삼성전자주식회사 | 감광막 패턴을 사용하는 자기정렬 콘택 형성방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100284071B1 (ko) | 2001-04-02 |
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