KR960005791A - 반도체소자의 콘택홀 형성방법 - Google Patents
반도체소자의 콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 반도체 소자가 고집적화됨에 따라 선폭이 좁아져 면비가 증가하고 단차가 발생함으로해서 노광공정시 노광시간조절에 따라 노광이 더 되거나 되지않아 반도체소자의 신뢰성을 저하시킴으로써 반도체소자의 고집적화를 불가능하게 하는 문제점이 발생하였다. 따라서 본 발명은 단차의 높이에 따라 마스크를 제작하고 노광 및 현상공정을 각각 실시함으로써 균일한 콘택홀 패턴을 형성하여 반도체소자의 신뢰성 및 생산성을 향상시키고 반도체소자의 고집적화를 가능케하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2E도는 본 발명의 실시예에 의한 반도체소자의 콘택홀 형성공정을 도시한 단면도이다.
Claims (1)
- 반도체소자의 콘택홀 형성방법에 있어서, 반도체기판 상부에 소자분리절연막, 게이트전극 및 산화막을 순차적으로 형성한 다음, 그 상부에 감광막을 사용하여 평탄화시키는 공정과, 제1마스크를 이용하여 단차가 낮은 부분의 감광막을 노광시키고 현상공정을 실시하여 감광막패턴을 형성하는 공정과, 제2마스크를 이용하여 단차가 높은 부분의 감광막을 노광 및 현상하여 상기 감광막패턴의 일부를 제거하는 공정과, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 산화막을 식각하여 제1,2콘택홀을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940016966A KR960005791A (ko) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940016966A KR960005791A (ko) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR960005791A true KR960005791A (ko) | 1996-02-23 |
Family
ID=66689434
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940016966A KR960005791A (ko) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR960005791A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100305507B1 (ko) * | 1999-04-19 | 2001-09-13 | 황한규 | 에어콘의 적층형 열교환기용 매니폴드 및 그 제조방법 |
-
1994
- 1994-07-14 KR KR1019940016966A patent/KR960005791A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100305507B1 (ko) * | 1999-04-19 | 2001-09-13 | 황한규 | 에어콘의 적층형 열교환기용 매니폴드 및 그 제조방법 |
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