KR960035921A - 전계효과트랜지스터 제조방법 - Google Patents
전계효과트랜지스터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 전계효과트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 게이트전극의 길이와 오믹 금속전극과 게이트 전극간의 거리를 웨이퍼 전면에 균일하게 정의하여 균일한 특성의 소자를 얻을 수 있도록 한 것이다.
본 발명은 기판위에 절연막과 제1감광막을 차례로 형성하는 단계와, 소정의 오믹전극패턴과 게이트전극패턴을 상기 제1감광막에 동시에 형성하는 단계; 상기 제1감광막패턴을 마스크로 이용하여 상기 절연막을 식각하는 단계; 상기 제1감광막패턴을 제거하는 단계; 기판상에 오믹전극을 형성될 부분만을 선택적으로 노출시키는 제2감광막패턴을 형성하는 단계; 기판 소정영역에 오믹전극을 형성하는 단계, 상기 제2감광막패턴을 제거하는 단계; 기판상에 게이트전극 형성영역만을 선택적으로 노출시키는 제3감광막패턴을 형성하는 단계, 기판 소정영역에 게이트전극을 형성하는 단계, 상기 제3감광막패턴을 제거하는 단계, 및 상기 절연막을 식각하는 단계를 포함하여 이루어지는 전계효과트랜지스터 제조방법을 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2도는 본 발명에 의한 전계효과트랜지스터 제조방법을 도시한 공정순서도, 제 3도는 본 발명의 다른 실시예에 의한 전계효과트랜지스터 제조방법을 도시한 공정순서도.
Claims (4)
- 기판위에 절연막과 제1감광막을 차례로 형성하는 단계와, 소정의 오믹전극패턴과 게이트전극패턴을 상기 제1감광막에 동시에 형성하는 단계, 상기 제1감광막패턴을 마스크로 이용하여 상기 절연막을 식각하는 단계, 상기 제1감광막패턴을 제거하는 단계, 기판상에 오믹전극이 형성될 부분만을 선택적으로 노출시키는 제2감광막패턴을 형성하는 단계, 기판 소정영역에 오믹전극을 형성하는 단계, 상기 제2감광막 패턴을 제거하는 단계, 기판상에 게이트전극 형성영역만을 선택적으로 노출시키는 제3감광막패턴을 형성하는 단계, 기판 소정영역에 게이트전극을 형성하는 단계, 상기 제 3감광막패턴을 제거하는 단계, 및 상기 절연막을 식각하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계효과트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3감광막패턴을 형성하는 단계후에 게이트전극 형성 영역의 노출된 기판부위를 선택적으로 식각하는 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 전계효과트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3감광막패턴을 오버행구조를 가지도록 형성하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 게이트전극의 두께를 상기 절연막의 두께보다 두껍게 형성하여 T형 게이트전극이 되도록 하는 것을 특징으로 하는 전계효과트랜지스터 제조방법.참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950005639A KR960035921A (ko) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 전계효과트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950005639A KR960035921A (ko) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 전계효과트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960035921A true KR960035921A (ko) | 1996-10-28 |
Family
ID=66549525
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950005639A KR960035921A (ko) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 전계효과트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR960035921A (ko) |
-
1995
- 1995-03-17 KR KR1019950005639A patent/KR960035921A/ko not_active Application Discontinuation
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