KR950025874A - 반도체소자의 게이트전극 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 게이트전극 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950025874A KR950025874A KR1019940003449A KR19940003449A KR950025874A KR 950025874 A KR950025874 A KR 950025874A KR 1019940003449 A KR1019940003449 A KR 1019940003449A KR 19940003449 A KR19940003449 A KR 19940003449A KR 950025874 A KR950025874 A KR 950025874A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gate electrode
- semiconductor device
- silicide layer
- photoresist pattern
- layer
- Prior art date
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로, 공정마진의 확보를 위하여 베리드 콘택홀등과 같은 단차를 갖는 부분과 일측이 중첩되도록 게이트전극을 형성할 때, 폴리실리콘층상에 고융점금속 실리사이드층을 적층하고, 상기 실리사이드층의 굴곡진 부분에서의 난반사를 방지하기 위하여 산화막을 적층한 후 식각 마스크로 사용되는 감광막패턴을 형성하였으므로, 노광공정시의 난반사에 의한 감광막패턴의 나칭 및 단선을 방지하여 공정수율 및 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(A)-(B)는 본 발명에 따른 게이트 전극 제조 공정도.
Claims (2)
- 반도체기판상에 게이트절연막과 폴리실리콘층 및 고융점금속 실리사이드층을 적층하는 공정과, 상기 실리사이드층 및 폴리실리콘층을 사진 식각하여 베리드 콘택홀의 일측과 접촉되는 게이트전극을 형성하는 공정을 구비하는 반도체소자의 게이트전극 제조방법에 있어서, 상기 실리사이드층상에 소정두께의 산화막을 적충한 후 사진 식각공정을 진행하는 공정을 구비하는 반도체소자의 게이트전극 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막을 1000-5000Å 정도 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 게이트전극 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940003449A KR950025874A (ko) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | 반도체소자의 게이트전극 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940003449A KR950025874A (ko) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | 반도체소자의 게이트전극 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950025874A true KR950025874A (ko) | 1995-09-18 |
Family
ID=66689922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940003449A KR950025874A (ko) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | 반도체소자의 게이트전극 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950025874A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100642442B1 (ko) * | 2000-03-21 | 2006-11-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 베리드 콘택 제조방법 |
-
1994
- 1994-02-25 KR KR1019940003449A patent/KR950025874A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100642442B1 (ko) * | 2000-03-21 | 2006-11-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 베리드 콘택 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59220973A (ja) | 集積絶縁ゲ−ト電界効果トランジスタの製造方法 | |
| KR940022801A (ko) | 반도체소자의 콘택 형성방법 | |
| KR950025874A (ko) | 반도체소자의 게이트전극 제조방법 | |
| KR910005458A (ko) | 반도체장비의 제조방법 | |
| KR970053546A (ko) | 반도체 장치의 금속 배선 형성 방법 | |
| KR960010054B1 (ko) | 반도체소자의 콘택형성방법 | |
| KR940002942A (ko) | 반도체 장치의 콘택 형성 방법 | |
| KR970054506A (ko) | 레이저를 이용한 완전 자기 정합형 박막 트랜지스터의 제조 방법 | |
| KR100203296B1 (ko) | 모스 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR100357174B1 (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR940016479A (ko) | 반도체 소자의 콘택제조방법 | |
| KR960032651A (ko) | 반도체 소자의 게이트전극 제조방법 | |
| KR970051909A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR950025876A (ko) | 자기 정렬 콘택 형성 방법 | |
| KR960039420A (ko) | 3극 필드 에미터 제조방법 | |
| KR940004725A (ko) | 단차완화 마스크를 이용한 콘택홀 형성방법 | |
| KR960035809A (ko) | 반도체 장치의 콘택 형성 방법 | |
| KR910008831A (ko) | 반도체 소자와 그 제조방법 | |
| KR970003522A (ko) | 금속배선 형성방법 | |
| KR960026161A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR940016486A (ko) | 반도체 접속장치 제조방법 | |
| KR950025869A (ko) | 콘택홀 형성방법 | |
| KR960042911A (ko) | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 | |
| KR970054091A (ko) | 전하저장전극 형성방법 | |
| KR940016577A (ko) | 반도체 소자의 수직 스토리지 노드 형성 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |