KR910008831A - 반도체 소자와 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명에 따른 전극구조를 예시한 반도체 소자의 단면도이다.
Claims (2)
- 반도체소자에 있어서, 전극절연용 산화막 사이에 형성되는 메틸 전극이 산화막을 감싸서 불순물 확산층에 증착되게하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 구조.
- 메탈전극의 영역을 형성시키기 위해 콘택마스크를 이용하여 산화막을 식각하는 공정과, 이어 메탈마스크로 메탈전극을 증착시기키 위한 메탈증착공정 등을 포함하여 제조하는 반도체소자의 제조공정에 있어서, 상기의 콘택마스크로 전극 절연용 산화막 사이에 있는 산화막을 식각할 때 전극절연용 산화막 사이에 위치한 메탈전극 증착위치의 일부에 산화막이 남도록 하는 식각공정과, 이어 메탈이 전극절연용 산화막 사이에 위치한 산화막을 감싸서 불순물확산층에 증착되게 하는 메탈증착공정으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890015144A KR920004327B1 (ko) | 1989-10-21 | 1989-10-21 | 반도체 소자와 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890015144A KR920004327B1 (ko) | 1989-10-21 | 1989-10-21 | 반도체 소자와 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910008831A true KR910008831A (ko) | 1991-05-31 |
| KR920004327B1 KR920004327B1 (ko) | 1992-06-01 |
Family
ID=19290887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019890015144A KR920004327B1 (ko) | 1989-10-21 | 1989-10-21 | 반도체 소자와 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920004327B1 (ko) |
-
1989
- 1989-10-21 KR KR1019890015144A patent/KR920004327B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920004327B1 (ko) | 1992-06-01 |
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