KR880010473A - 반도체장치의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 따른 반도체장치의 제조방법을 설명하는 단면구조도.
제2도는 제1도의 실시예에 따른 반도체장치의 제조방법으로 제조한 반도체장치를 설명하는 패턴평면도.
제3도는 종래 반도체장치의 제조방법으로 제조한 반도체장치를 설명하는 패턴평면도이다.
Claims (1)
- 접촉전극을 자기정합적으로 형성시켜 주는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 소자분리된 제1도 전형반도체기판(11)상에 게이트절연막(13)을 매개로 형성되어져 있는 게이트전극(14)의 윗면과 측면을 제1절연막(16)으로 덮어 주는 공정과, 상기 제1절연막(16)과 엣칭비가 다른 제2절연막(17,18)을 반도체기판(11)상의 전체표면에다 퇴적시켜서 층간 절연막을 형성시켜 주는 공정, 상기 제1절연막(16)은 마스크로 해서 상기 게이트 전극(14)의 양측면에다 상기 반도체기판(11)이 노출되도록 접촉구멍을 형성시켜 주는 공정, 상기 접촉구멍내에다 제2도전형불순물을 함유하는 반도체층(19,20)을 성장시키는 공정 및 상기 접촉구멍내에 노출된 반도체기판내에다 제2도전형불순물을 도입시켜 주는 공정을 구비해서 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
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| JP62025723A JPS63193566A (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | 半導体装置の製造方法 |
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| KR1019880001025A KR910005737B1 (ko) | 1987-02-06 | 1988-02-04 | 반도체장치의 제조방법 |
Country Status (2)
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| JP (1) | JPS63193566A (ko) |
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Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006196926A (ja) * | 1994-09-14 | 2006-07-27 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-02-06 JP JP62025723A patent/JPS63193566A/ja active Pending
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1988
- 1988-02-04 KR KR1019880001025A patent/KR910005737B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63193566A (ja) | 1988-08-10 |
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