KR870001655A - 반도체장치의 제조방법 - Google Patents

반도체장치의 제조방법 Download PDF

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KR870001655A
KR870001655A KR1019860005388A KR860005388A KR870001655A KR 870001655 A KR870001655 A KR 870001655A KR 1019860005388 A KR1019860005388 A KR 1019860005388A KR 860005388 A KR860005388 A KR 860005388A KR 870001655 A KR870001655 A KR 870001655A
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layer
layers
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gate insulating
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KR1019860005388A
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다이지 에마
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야마모도 다꾸마
후지쓰 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체장치의 제조방법
제1도는 기판과 게이트전극간에 접촉이 형성되고 또한 기판상에 배선이 형성된 반도체 장치의 일예를 나나태는 평면도.
제3A도는 본 발명에 의한 반도체장치 제조방법을 설명하기 위해 반도체장치를 공정별로 각각 나타내는 수직횡단면도.
제4도는 본 발명의 방법에 의해 제조된 반도체장치의 구체적인 예를 나타내는 평면도.

Claims (5)

  1. 반도체 기판상에 전계절연층들응 형성하되, 상기 절연층들을 반도체 기판상의 적어도 2개소들에 형성하는 단계와 상기 전계절연층과 상기 게이트 절연층들을 피복하기 위해 제1도전층을 형성하는 단계와, 상기 반도체 기판의 표면이 노출되는 접촉구멍을 형성하도록 상기 게이트 절연층들중 하나와 상기 제1도전층을 형성하는 단계와, 상기 접촉구멍과 상기 제1도전층을 피복하도록 제2도전층을 형성하는 단계와, 그리고 게이트전극과 상기 게이트 절연층들의 다른 것으로 연장되는 배선을 패턴닝하는 단계를 포함하는 것이 특징인 반도체장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2도전층들은 폴리실리콘층 들인 것이 특징인 반도체장치의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 제1도전층은 폴리실리콘층이며 또한 상기 제2도전층은 실리사이드층인 것이 특징인 반도체장치의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1도전층은 약 500내지 1000Å의 범위내의 두께를 가지며, 또한 상기 제2도전층은 약 3000Å의두께를 갖는 것이 특징인 반도체장치의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 접촉구멍을 형성하도록 패턴닝하는 단계는 ; 예정된 위치에서 상기 접촉구멍을 형성하도록 저항을 사용하여 상기 하나의 게이트 절연층과 상기 제1도전층을 제거하도록 패턴닝하는 단계와, 그리고 상기 접촉구멍내에 노출된 상기 반도체 기판의표면상에 형성된 자연산화층을 식각으로 제거하는 단계와를 부차적으로 포함하되, 상기 다른 게이트절연층은 상기 자연산화층이 식각에 의해 제거될 때 상기 다른 게이트 절연층을 피복하는 상기 제1도전층에 의해 제조되는 것이 특징인 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860005388A 1985-07-10 1986-07-03 반도체장치의 제조방법 KR870001655A (ko)

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JP60151535A JPS6212125A (ja) 1985-07-10 1985-07-10 半導体装置の製造方法
JP151535 1985-07-10

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JPH01147829A (ja) * 1987-12-04 1989-06-09 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
FR2625608B1 (fr) * 1988-01-04 1990-06-15 Sgs Thomson Microelectronics Procede de fabrication d'un circuit integre comprenant des elements a deux niveaux de grille
EP0526244B1 (en) * 1991-07-31 2000-01-05 STMicroelectronics, Inc. Method of forming a polysilicon buried contact

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JPS6212125A (ja) 1987-01-21

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