KR890003029A - 싱글 터브 반도체 장치 제조방법 - Google Patents

싱글 터브 반도체 장치 제조방법 Download PDF

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Abstract

내용없음

Description

싱글 터브 반도체 장치 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1및 2도는 본 발명에 따라 제조된 수직 NPN트랜지스터에 대한 개착 단면도. 제 3도는 여러 제조단계로 제 1내지 2도의 트랜지스터를 보여주는 제 1도의 것과 유사한 개략 단면도.

Claims (3)

  1. 싱글 터브 반도체장치를 제조하는 방법이 ; 분리영역에 의해 측방향으로 둘러싸인 단결정 반도체 더브를 갖고 있는 기판을 제공하는 단계와, 여기서 상기 터브와 상기 측방향 분리 영역은 외부면을 갖고 있고 ; 제 1두께를 갖고 있는 산화 가능한 전도성 제 1다결정층으로 상기 외부면을 덮는 단계와 ; 제 1다결정층을 제 1산화 저항층으로 덮는 단계와 ; 상기 산화 저항층을 산화 가능한 제 2다결정층으로 덮는 단계 ; 다상기 제 2다결정층을 마스킹층으로 덮는 단계와 ; 상기 터브 위의 제 1 및 제 2 중복되지 않는 개구 ; 상기 터브에 인접한 상기 측방향 분리영역의 일부 위의 제 3개구 및 상기 측방향 분리 영역위에서 상기 제 1내지 제 3개구를 측방향으로 둘러싸는 제 4개구를 제공하기 위하여 상기 마스킹층과 상기 제 2다결층을 마스터 마스크패턴으로 패턴닝하는 단계와, 상기 제 1 내지 제 4 개구는 각각 상기 제 1 다결층과 상기 제 1산화 저항층의 제1 내지 제4 부분을 오버라이 하며, 상기 제 1및 제 2개구는 상기 터브의 제 1및 제 2부분을 각각 오버라이하고 ; 상기 제 1 산화 저항층의 상기 제 4부분을 제거하여 상기 제 1 다결정층의 상기 제 4 부분을 노출시키는 단계와 ; 절연체 영역에 대한 상기 제 1 내지 제 4 개구 사이에 있는 상기 제 2 다결정층의 부분과 상기 제 2다결정층의 부분과 상기 제 1 다결정층의 상기 제 4 부분을 덮는 단계와 ; 적어도 상기 제 1 산화 저항층의 상기 제 1 및 제 2 부분을 제거하는 단계와 ; 상기 제 1 다결정층의 상기 제 1및 제 2부분을 제거하여 상기 허브의 상기 제 1및 제 2 부분과, 상기 제 1 다결정층의 상기 제 1및 제 2 부분이 제거되는 곳이 상기 제 1 다결정층으 측벽을 노출시키는 단계와 ; 상기 제 1 및 제 2 개구와 상기 제 4 개구 사이에 측방향으로 놓여 있는상기 제 1 다결정층의 제 1 부분을 적소에 남겨두는 단계와, 상기 제 1 다결정층의 상기 제 1부분의 일부는 상기 터브중 제 1 및 제 2 부분에 의해 점유되지 않은 상기 터브의 제 3 부분을 오버라이 하며 ; 이후 임의 순서로, 상기 터브의 상기 제 1 부분을 제 1형 도펀트로 제 1 깊이까지 도우핑하고, 상기 터브으 ㅣ상기 제 2 부분을 상기 제 1형 도펀트와 마주하고 있는 제 2형 도펀트로 제 2 깊이까지 도우핑하고, 적어도 상기 터브의 상기 제 3 부분의 일부를 또 다른 도펀트로 제 3 깊이까지 도우핑하는 단계르 ㄹ포함하는 것을 특징으로 하는 싱글 터브 반도체 장치 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 터브의상기 제 1 및 제 2 부분과 상기 측벽상에 절연체를 형성하는 단계와 ; 상기 측벽상의 상기 절연체상에 전도성 제 3 다결정층을 형성하는 단계와 ; 상기 터브의 상기 제 1 및 제 2 부분으로부터 중심적으로 상기 절연체를 제거하는 단계와 ; 상기 기판 위에서 상기 제 3 다결정층 및 상기 터브의 상기 제 1 및 제 2 부분과 접촉하는 전도성 제 4 다결정층을 형성하는 단계와 ; 적어도 전기적으로 분리된 두개의 부분을 제공하기 위해 상기 제 4 다결정층의 일부를 제거하는 단계와, 한 부분은 상기 터브의상기 제 1부분과 접촉하고 다른 부분은 상기 터브의 상기 제 2 부분과 접촉하고 ; 상기 기판이 상기 제 1 및 제 2 부분을 더 도우핑하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 싱글 터브 반도체 장치 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 피복단계들은 제 1 다결정층을 제 1 두께로 형성하고, 제 1 산화저항층을 제 2 두께로 형성하고, 제 2 다결정층은 제 3 두께로 형성하는 단계를 포함하고, 제 1 다결정층의 변환된 부분으로 형성된 절연체는 제 4 두께를 갖고 있고, 제 2 다결정층의 변환된 부분으로 형성된 절연체는 제 5 두께를 갖고 있고, 상기 제 4 두께는 실제로 제1, 제2 및 제 5두께의 합과 같은 것을 특징으로 하는 싱글 터브 반도체 장치 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880007811A 1987-07-01 1988-06-28 싱글 터브 반도체 장치 제조 방법 KR970004458B1 (ko)

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