KR890008949A - 반도체장치 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체장치 및 그 제조방법 Download PDF

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슈이찌 니시다
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카나자와 후미오
마쯔시다덴시고오교오 가부시기가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

반도체장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명 일실시예내 반도체장치 제 1절연막의 형성상태의 단면도,
제 2 도는 동일실시예내 반도체 장치의 배선형성상태의 단면도.

Claims (10)

  1. 반도체장치는 제1전도형 반도체기판, 상기 반도체기판의 표면상에 선택적으로 형성된 소자분리용 산화막, 상기 소자분리용 산화막에 인접한 상기 반도체기판에 형성된 제2전도형의 제1불순물 확산영역, 상기 제1불순물 영역부와 부분적으로 중복되고 상기 소자분리용 산화막 아래에 모서리가 형성된, 상기 반도체기판에 형성된 제2전동형의 제2불순물 확산영역, 상기 소자분리용 산화막과 상기 제1, 제2불순물 확산영역을 포함하는 상기 반도체기판의 표면상에 형성된 제1절연막, 상기 제1절연막의 상기 제2불순물 확산영역의 거의 전면적에 대응하는 위치에 형성된 제1접촉구멍(상기 제1접촉구멍부는 상기 소자분리용 산화막의 모서리를 제거시켜 형성된다), 적어도 상기 제1접촉구멍의 바닥에 형성된 전도층, 상기 전도막에 접속된 배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  2. 제1항에 있어서, 여기서 상기 전도막은 제1접촉구멍의 내벽과 바닥, 상기 제1절연막의 표면부에 형성되고, 제2절연막은 상기 제1절연막상에 형성되며 상기 제1접축구멍보다 넓은 면적은 지니는 제2접촉구멍은 상기 제2절연막에 형성되며 상기 전도막과 배선은 상기 제2접촉구멍을 통해 접속하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 여기서 상기 전도막은 폴리실리콘 또는 폴리시드인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  4. 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서, 여기서, 상기 제2불순물 확산영역은 불순물이 상기 전도막을 통해 확산된 영역인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  5. 반도체장치는, 제1전도형의 반도체기판, 상기 반도체기판에 선택적으로 형성된 제2전도형의 제1불순물 확산영역, 상기 제1불순물 확산영역과 부분적으로 중복되기 위해 형성된 제2전도형의 제2불순물 확산영역, 상기 제2불순물 확산영역의 거의 전면적을 지닌 저항접촉 용전도막, 상기 전도막에 접속된 배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  6. 제5항에 있어서, 여기서 상기 전도막은 폴리실리콘 또는 폴리시드인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 여기서 상기 제2불순물 확산영역은 불순물이 상기 전도막을 통해 확산된 영역인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  8. 반도체 제조방법은 제1전도형 반도체기판의 표면상에 선택적으로 소자분리용 산화막을 형성하는 제1단계, 상기 소자분리용 산화막에 인접한 상기 반도체기판에 제2전도형의 제1불순물 확산영역을 형성하는 제2단계, 상기 제1불순물 확산영역과 상기 소자분리용 산화막을 포함하는 상기 반도체기판의 표면상에 제1절연막을 형성하고 제1불순물 확산영역위의 위치에서 상기 소자분리용 산화막의 모서리를 제거하는 위치까지 상기 제1절연막에 제1접촉구멍을 형성하는 제3단계, 적어도 상기 제1접촉구멍의 바닥에 전도막을 형성하는 제4단계, 상기 전도막을 통해 상기 반도체기판에 제2전도형의 불순물을 주입하고 상기 제1불순물 확산영역과 부분적으로 중복되는 제2불순물 확산영역을 형성하는 제5단계, 상기 전도막에 접속되는 배선을 형성하는 제6단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 및 그 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 여기서, 상기 전도막은 상기 제1접촉구멍의 내벽 및 바닥과 또한 상기 제1절연막 표면부에 형성되고, 상기 제1절연막에 제2절연막을 형성하는 제7단계, 상기 제2절연막에 상기 제1접촉구멍보다 큰 제2접촉구멍을 형성하는 제8단계, 상기 제2절연막상에 형성된 상기 배선을 상기 제2접촉 구멍을 통해 상기 전도막에 접속시키는 제9단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 및 그 제조방법.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 여기서 상기 전도막은 폴리실리콘 또는 폴리시드인 것을 특징으로 하는 반도체장치 및 그 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880014762A 1987-11-13 1988-11-10 반도체장치 및 그 제조방법 KR920007448B1 (ko)

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