KR970023863A - 반도체장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

트랜지스터의 베이스 저항을 감소시킬 수 있는 바이폴라 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치가 제공된다. 이 장치는 측부에 제1도전형의 제1반도체 활성 영역을 갖는 반도체 서브구조물을 포함한다. 제1절연층은 제1활성 영역을 덮도록 서브구조물의 주면상에 형성된다. 제1절연층을 제1활성영역을 노출시키는 제1관통창을 갖는다. 제2도전형의 반도체 콘택영역이 제1절연층상에 형성된다. 콘택영역은 제1창을 오버행하는 오버행 부분을 갖는다. 제2창은 제1창과 전체적으로 중첩되도록 오버행 부분의 내부단부에 의해 정의된다. 콘택영역은 다결정 반도체로 이루어진다. 제2도전형의 제2반도체 활성영역은 제1창의 제1활성영역에 형성된다. 제2도전형의 반도체 접속영역은 제2활성영역을 에워싸도록 제1창에 형성된다. 접속영역은 콘택영역의 오버행부분과 제2활성 영역과 접촉하여 제2활성영역을 콘택영역과 전기적으로 상호접속 시킨다. 접속영역은 다결정 반도체로 이루어진다.

Description

반도체장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도2A 내지 2C는 도1의 종래 반도체장치의 제조공정 단계를 각각 도시하는 단면도.

Claims (17)

  1. (a) 측부에 제1도전형의 제1반도체 활성영역을 갖는 반도체 서브구조물로서, 상기 제1활성영역은 상기 서브구조물의 주면으로 부터 노출된 서브 구조물, (b) 상기 서브구조물의 상기 주면상에 형성되어 상기 제1활성영역을 덮는 제1절연층으로서, 상기 제1절연층은 상기 제1활성영역을 노출시키는 제1관통창을은 갖는 제1절연창, (c) 상기 제1도전형과 극성이 반대인 제2도전형의 반도체 콘택영역으로서, 상기 콘택영역은 상기 제1절연층상에 형성되고, 상기 콘택영역은 상기 제1창의 크기보다 작은 크기의 제2창을 가지며, 상기 콘택영역은 상기 제1창을 오버행하는 오버행 부분을 갖고, 상기 콘택 영역은 상기 오버행 부분의 내부 단부에 의해 상기 제1창과 전체적으로 중첩되도록 정의되며, 상기 콘택영역은 다결정 반도체로 이루어지는 반도체 콘택영역, (d)상기 제1창과 접촉하도록 상기 제1활성영역상에 형성된 상기 제2도전형의 제2반도체 활성영역, (e) 상기 제2활성영역을 에워싸도록 상기 1개구에 형성된 상기 제2도전형의 반도체 접속영역으로서, 상기 접속영역은 상기 콘택영역의 상기 오버행 부분과 상기 제2활성영역과 접촉하여 상기 제2활성영역을 상기 콘택영역과 전기적으로 상호 접속시키며, 상기 접속영역은 다결정 실리콘으로 이루어지는 반도체 접속영역으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 접속영역은 상기 제1활성영역과 접촉하고, 상기 제1및 제2활성영역의 콘택영역은 상기 제1창의 영역보다 좁은 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반도체 접속영역은 제1, 제2, 제3, 및 제4다결정 반도체 층을 포함하고, 상기 제1다결정 반도체층은 상기 제1활성영역과 접속하며, 상기 제4다결정 반도체층은 상기 콘택영역과 접촉하고, 상기 제2및 제3다결정 반도체층은 각각 상기 제1 및 제4다결정 반도체층과 접촉하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1, 제2, 제3, 및 제4다결정 반도체층은 상기 서브구조물의 상기 주면에 수직인 방향으로 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1, 제2, 제3, 및 제4다결정 반도체층은 폴리실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로하는 반도체 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 접속영역과 상기 제1활성영역사이에 제2절연층을 또한 구비하고, 상기 접속영역은 상기 제2절연층과 접촉하며 상기 제1활성영역과 접촉하지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 반도체 접촉영역은 제1, 제2, 및 제3다결정 반도체층을 포함하고, 상기 제1다결정 반도체층은 상기 제2활성영역과 접촉하고, 상기 제3다결정 반도체층은 상기 콘택영역과 접촉하며, 상기 제2다결정 반도체층은 상기 제1 및 제2다결정 반도체층과 접촉하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1, 제2, 및 제3다결정 반도체층은 상기 서브구조물의 상기 주면에 수직인 방향으로 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2다결정 반도체층은 SiGe로 이루어지고, 상기 제3다결정 반도체층은 폴리실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  10. (a) 측부에 제1도전형의 제1반도체 활성영역을 갖는 반도체 서브구조물로서, 상기 제1활성영역은 상기 서브구조물의 주면으로 부터 노출되는 서브 구조물을 준비하는 단계, (b) 상기 서브구조물의 상기 주면상에 형성되어 상기 제1활성영역을 덮는 제1절연층으로서, 상기 제1절연층은 상기 제1활성 영역을 노출시키는 제1관통창을 갖는 제1절연층을 형성하는 단계, (c) 상기 제1절연층상에 상기 제1도전형과 극성이 반대인 제2도전형의 반도체 콘택영역으로서, 상기 콘택영역은 상기 제1창의 크기보다 작은 크기의 제2창을 가지며, 상기 콘택영역은 상기 제1창을 오버행하는 오버행 부분을 갖고, 상기 콘택영역은 상기 오버행 부분의 내부 단부에 의해 상기 제1창과 전체적으로 중첩되도록 정의되며, 상기 콘택영역은 다결정 반도체로 이루어지는 반도체 콘택영역을 형성하는 단계, (d) 상기 제1창과 접속하도록 상기 제1활성영역 상에 형성된 상기 제2도전형의 제2반도체 활성영역을 형성하는 단계, (e) 상기 제2활성영역을 에워싸도록 상기 제1개구에 형성된 상기 제2도전형의 반도체 접속영역으로서, 상기 접속영역은 상기 콘택영역의 상기 오버행 부분과 상기 제2활성영역과 접촉하여 상기 제2활성영역을 상기 콘택영역과 전기적 으로 상호 접속시키며, 상기 접속영역은 다결정 실리콘으로 이루어지는 반도체 접속영역을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 반도체 접속영역은 제1, 제2, 제3, 및 제4다결정 반도체층을 포함하고, 상기 단계 (e) 는 상기 제1다결정 반도체층을 상기 제1활성영역과 접촉하도록 그리고 상기 제4다결정 반도체층을 상기 접속영역과 접촉하도록 선택적으로 형성하는 단계와, 상기 제2다결정 반도체층을 상기 제1다결정 반도체층과 접촉하도록 그리고 상기 게2다결정 반도체층을 상기 제2다결정 반도체층과 접촉하도록 선택적으로 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1, 제2, 제3, 및 제4다결정 반도체층은 상기 서브구조물의 상기 주면에 수직인 방향으로 배치되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제1, 제2, 제3, 및 제4다결정 반도체층은 폴리실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
  14. 제10항에 있어서, 상기 접속영역과 상기 제1활성영역 사이에 제2절연층을 형성하는 단계를 추가로 포함하고, 상기 제2접속영역은 상기 제2절연층과 접촉하고 상기 제1활성영역과 접촉하지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
  15. 제10항에 있어서, 상기 반도체 접속영역은 제1, 제2, 및 제3다결정 반도체층을 포함하고, 상기 단계 (e)는 상기 제1다결정 반도체층을 상기 제2활성영역과 접촉하도록 형성하는 단계, 상기 제3다결정 반도체층을 상기 콘택영역과 접촉하도록 형성하는 단계, 상기 제2다결정 반도체층을 상기 제1 및 제2다결정 반도체층과 접촉하도록 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
  16. 제15항에 있어서 상기 제1, 제2, 및 제3다결정 반도체층은 상기 서브구조물의 상기 주면에 평행인 방향으로 배치되어 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
  17. 제15항에 있어서. 상기 제1및 제2다결정 반도체층은 SiGe로 이루어지고, 상기 제3다결정 반도체층은 폴리실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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