KR960015733A - 반도체 장치의 금속배선 접촉부 형성방법 및 그 구조 - Google Patents

반도체 장치의 금속배선 접촉부 형성방법 및 그 구조 Download PDF

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Abstract

본 발명은 금속배선과 기판의 접촉부위와의 접촉저항을 줄이는 반도체 장치의 금속배선 접촉부 형성방법 및 그 구조에 관한 것으로, 1) 하이 도핑 정션이 형성된 반도체기판상에 절연층을 형성하고, 절연층을 사진식각하여 금속배선층이 연결될 기판의 접촉부가 노출되도록 접촉홀을 형성하는 단계와, 2) 전면에 도전층을 형성하여 도전층이 접촉홀내에서 기판의 접촉부와 접촉하도록 하는 단계와, 3) 도전층을 사진식각하여 접촉홀내에 접촉홀의 저면적보다 좁은 면적으로 도전성 돌출부가 남게하여 금속배선이 기판의 접촉부 및 도전성 돌출부의 표면에 접촉할 수 있게한 단계를 포함하여 이루어진 방법 및 그에 의해 형성된 구조이다.

Description

반도체 장치의 금속배선 접촉부 형성방법 및 그 구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 반도체 장치의 금속배선 접촉부 형성방법 및 그 구조를 설명하기 위해 도시한 반도체소자의 일부 단면도.

Claims (8)

  1. 반도체 장치의 금속배선 접촉부 형성방법에 있어서, 1) 하이 도핑 정션이 형성된 반도체기판 상에 절연층을 형성하고, 절연층을 사진식각하여 금속배선층이 연결될 기판의 접촉부가 노출되도록 접촉홀을 형성하는 단계와, 2) 전면에 도전층을 형성하여 도전층이 접촉홀내에서 기판의 접촉부와 접촉하도록 하는 단계와, 3) 도전층을 사진식각하여 접촉홀내에 접촉홀의 저면적보다 좁은 면적으로 도전성 돌출부가 남게하여 금속배선이 기판의 접촉부 및 도전성 돌출부의 표면에 접촉할 수 있게한 단계를 포함하여 이루어진 반도체 장치의 금속배선 접촉부 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제 2)단계의 도전층은 다결정실리콘층인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속배선 접촉부 형성방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 다결정 실리콘층은 반도체 기판의 하이 도핑 정션의 불순물이온과 같은 족(族)의 불순물이온이 도핑된 다결정 실리콘층인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속배선 접촉부 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제 3)단계의 도전성 돌출부는 접촉홀 저면의 중심부분에 막대형으로 형성함을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속배선 접촉부 형성방법.
  5. 반도체 장치의 금속배선 접촉부 구조에 있어서, 금속배선층이 연결될 하이 도핑 정션이 형성된 반도체기판과, 상기 반도체기판 상에 형성되고 기판의 접촉부 상에 접촉홀이 열린 절연층과, 상기 접촉홀 내부에 기판의 접촉부와 접촉되고 접촉홀의 저면적보다 좁은 면적으로 돌출되어 형성된 도전성 돌출부를 포함하여 이루어진 반도체 장치의 금속배선 접촉부 구조.
  6. 제5항에 있어서, 상기 도전성 돌출부는 다결정 실리콘인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속배선 접촉부 구조.
  7. 제6항에 있어서, 상기 다결정 실리콘은 반도체 기판의 하이 도핑 정션의 불순물이온과 같은 족(族)의 불순물이온이 도핑된 다결정 실리콘인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속배선 접촉부 구조.
  8. 제5항에 있어서, 상기 도전성돌출부는 접촉홀 저면의 중심부분에 위치하고, 막대형인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속배선 접촉부.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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