KR970052836A - 더미 배선을 갖춘 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 더미 배선을 갖춘 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명에서는 금속 배선과 동일한 높이로 형성되고 상기 하부 전극에는 연결되지 않는 더미 배선을 포함한다. 이를 제조하기 위하여, 하부 전극의 일부가 노출되도록 콘택 홀이 형성된 절연막상에 금속막을 형성한 후, 상기 하부 전극에 연결되는 금속 배선과 상기 하부 전극에 연결되지 않는 더미 배선을 형성하는 공정을 포함한다. 본 발명에 따르면, 금속 배선이 형성시에 더미 배선을 같이 형성하여 단차를 줄임으로써, 금속 배선의 노칭을 방지할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 횡단면 구조이다.
Claims (2)
- 하부 전극에 연결되는 금속 배선을 갖춘 반도체 장치에 있어서, 상기 금속 배선과 동일한 높이로 형성되고 상기 하부 전극에는 연결되지 않는 더미 배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 소자가 형성된 반도체 기판상에 금속 배선이 형성된 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 하부 전극의 일부가 노출되도록 콘택 홀이 형성된 절연막상에 제1금속막을 형성하는 단계와, 상기 하부 전극에 연결되는 제1금속 배선과 상기 하부 전극에 연결되지 않는 더미 배선을 형성하도록 상기 제1금속막을 패터닝하는 단계와, 상기 결과물 위에 층간 절연막을 형성하는 단계와, 상기 층간 절연막에 상기 제1금속 배선을 노출시키는 콘택 홀을 형성하는 단계와, 상기 결과물에 제2금속막을 형성하는 단계와, 상기 제1금속 배선과 연결되는 제2금속 배선을 형성하도록 상기 제2금속막을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057061A KR970052836A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 더미 배선을 갖춘 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057061A KR970052836A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 더미 배선을 갖춘 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052836A true KR970052836A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66618399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950057061A KR970052836A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 더미 배선을 갖춘 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052836A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100506045B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2006-05-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR1019950057061A patent/KR970052836A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100506045B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2006-05-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
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