KR960043029A - 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속 배선 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속 배선 형성방법에 관한 것으로, 특히 비아 홀 형성 후, 금속 이온을 주입하여 금속의 스텝 커버러지를 개선하고, 접촉 저항을 감속시키는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법에 관한 것으로 다충 금속 배선 중 금속 배선을 형성함에 있어서, 비아홀을 형성하고 제2금속 배선을 형성한 다음, 금속 이온을 주입하므로써, 스텝 커버러지를 향상시키고, 금속간의 접촉부에 접촉 저항을 개선시켜 소자의 신뢰성을 확보하고, 제조 수율을 확보시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 및 제3도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속 배선 형성방법을 보인 단면도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 제1금속 배선 상부에 절연층을 형성하고, 소정 부분에 비아 홀을 형성하여 제1금속 배선을 노출시킨 다음, 베리어 금속 및 제2금속 배선을 형성하여 접촉시키는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법에 있어서, 상기 제2금속배선을 형성한 후에, 비아 홀 내부에 금속이온을 이온 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속 이온은 Ti 이온, Al 이온 또는 W 이온인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950012599A KR960043029A (ko) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950012599A KR960043029A (ko) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960043029A true KR960043029A (ko) | 1996-12-21 |
Family
ID=66525346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950012599A KR960043029A (ko) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960043029A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100436057B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2004-12-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 고유전체 캐패시터 제조방법 |
-
1995
- 1995-05-19 KR KR1019950012599A patent/KR960043029A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100436057B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2004-12-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 고유전체 캐패시터 제조방법 |
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