KR960019524A - 반도체 소자의 금속배선 형성 방법 - Google Patents

반도체 소자의 금속배선 형성 방법 Download PDF

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남기원
이우봉
고재완
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김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 금속배선이 형성될 부위의 접촉창 내부에 선택적 금속막의 시드 역할을 하는 제1금속막을 형성하는 단계; 상기 접촉창 내부의 제1금속막 상부에 선택적 제2금속막을 형성하여 접촉창을 매립하는 단계; 전체구조 상부에 제3금속막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법에 관한 것으로, 금속배선 형성시 접촉창 지역을 선택적 화학기상증착 금속막으로 완전히 매립하여 금속층의 층덮힘을 100%로 함으로써 소자의 신뢰도를 향상시키는 효과를 가져온다.

Description

반도체 소자의 금속배선 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1H도는 본 발명의 일실시예에 따른 금속배선 형성 공정도.

Claims (3)

  1. 반도체 소자의 금속배선 형성 방법에 있어서, 금속배선이 형성될 부위의 접촉창 내부에 선택적 금속막의 시드 역확을 하는 제1금속막을 형성하는 단계; 상기 접촉창 내부의 제1금속막 상부에 선택적 제2금속막을 형성하여 접촉창을 매립하는 단계; 전체구조 상부에 제3금속막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 접촉창 내부에 제1금속막을 형성하는 단계는 접촉창이 형성된 기판의 전체구조 상부에 제1금속막을 증착하는 단계; 전체구조 상부에 절연막을 형성하는 단계; 접촉창 내부의 절연막을 식각하여 접촉창 내부의 제1금속막을 노출시키는 단게를 포하하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 선택적 제2금속막은 화학기상증착법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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