KR960005797A - 반도체소자 배선 형성방법 - Google Patents

반도체소자 배선 형성방법 Download PDF

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Abstract

배선 형성방법이 개시되어 있다. 개구부를 포함하는 절연막이 형성되어 있는 반도체 기판상에 티타늄을 증착하여 티타늄막을 형성하고, 상기 티타늄막을 질화시켜 제1티타늄질화막을 형성한 다음, 제1티타늄질화막 상에 제2티타늄질화막을 형성하고, 상기 결과를 상에 금속을 증착하여 금속층을 형성한다. 화학기상증착방법으로 티타늄질화막을 증착하기 전에 하부의 티타늄막을 질화시킴으로써 단차도포성이 우수하고 기공이 없는 콘택 매몰은 물론, 결합물질의 생성을 방지하여 낮은 콘택저항을 갖는 신뢰성 있는 금속배선 형성이 가능하다.

Description

반도체소자 배선 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2F도는 본 발명에 의한 금속배선 형성방법의 일 예를 설명하기 위한 단면도들이다.

Claims (4)

  1. 개구부를 포함하는 절연막이 형성되어 있는 반도체 기판 상에 티타늄을 증착하여 티타늄막을 형성하는 단계; 상기 티타늄막을 질화시켜 제1티타늄질화막을 형성하는 단계; 및 상기 결과물 상에 금속을 증착하여 금속층을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 금속배선 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1티타늄질화막 상에 제2티타늄질화막을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 금속배선 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1티타늄질화막은methylhydrazine 또는 diemethylhydrazine 을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 금속배선 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1티타늄질화막은 200~700℃온도에서 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 금속배선 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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