KR970043359A - 티타늄 질화물 박막의 형성방법 및 그 방법에 따라 형성된 티타늄 질화물 박막 - Google Patents

티타늄 질화물 박막의 형성방법 및 그 방법에 따라 형성된 티타늄 질화물 박막 Download PDF

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Abstract

본 발명은 화학기상증착방법을 이용한 티타늄 질화물 박막의 형성방법에 있어서, (a) 반도체 기판상에 티탄과 질소를 함유하는 금속유기 공급원을 사용하여 제1티타늄 질화막을 형성하는 단계; (b) 상기 결과물상에 티탄과 질소를 함유하는 금속 유기 공급원과 암모니아 가스를 함께 사용하여 제2티타늄 질화막을 형성하는 단계를 교대로 반복하는 것을 특징으로 하는 티타늄 질화물 박막의 형성방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 우수한 단차도포성, 비저항 및 안정성을 갖는 티타늄 질화물 박막을 얻을 수 있다.

Description

티타늄 질화물 박막의 형성방법 및 그 방법에 따라 형성된 티타늄 질화물 박막
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (3)

  1. 화학기상증착방법을 이용한 티타늄 질화물 박막의 형성방법에 있어서, (A) 반도체 기판상에 티탄과 질소를 함유하는 금속유기 공급원을 사용하여 제1티타늄 질화막을 형성하는 단계; 및 (B) 상기 결과물상에 티탄과 질 소를 함유하는 금속유기 공급원과 암모니아 가스를 함께 사용하여 제2티타늄 질화막을 형성하는 단계를 교대로 반복하는 것을 특징으로 하는 티타늄 질화물 박막의 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속유기 공급원이 TDMAT와 TDEAT중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 티타 늄 질화물 박막의 형성방법.
  3. 제1항 내지 제2항중 어느 한 항의 방법에 따라 형성된 티타늄 질화물 박막.
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