KR950015650A - 반도체 장치 제조방법 - Google Patents

반도체 장치 제조방법

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KR950015650A
KR950015650A KR1019940031261A KR19940031261A KR950015650A KR 950015650 A KR950015650 A KR 950015650A KR 1019940031261 A KR1019940031261 A KR 1019940031261A KR 19940031261 A KR19940031261 A KR 19940031261A KR 950015650 A KR950015650 A KR 950015650A
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가네꼬 히사시
닛뽕 덴끼 가부시끼 가이샤
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Abstract

본 발명은 측면 에칭없이 용융점이 높은 금속을 포함하는 금속성 필름을 에칭하여 선 제조 방법을 제공한다. SF6및 N2를 포함하는 혼합 가스에 의하여 텅스텐 필름(4c)이 에칭될때, 질화 텅스텐 필름(14)이 에칭되는 텅스텐 필름(4c)의 측벽상에 형성되고, 상기 질화 텅스텐 필름(14)은 에칭을 막는 역활을 한다. 선택된 도면은 제5도이다.

Description

반도체 장치 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 바람직한 제1 실시예를 설명하는 반도체 장치의 단면도,
제3A-3D도는 본 발명의 바람직한 제1 실시예를 설명하는 반도체 장치의 단면도,
제4도는 본 발명의 바람직한 제1 실시예의 텅스텐 필름 에칭율을 나타내는 그래프.

Claims (2)

  1. 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 반도체 표면상에 절연체 필름을 형성하는 단계와, 상기 절연체 필름의 표면상에 주요 구성 요소로서 용융점이 높은 금속을 포함하는 금속성 필름을 형성하고, 상기 금속성 필름의 표면상에 소정의 패턴으로 레지스트 필름을 형성하는 단계와, 상기 레지스트 필름을 마이크로 사용하여, 염화물 가스 및 질소 또는 암모니아가스를 포함하는 혼합가스로 상기 금속성 필름을 에칭하는 단계를 구비함을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 반도체 표면상에 절연체 필름을 형성하는 단계와, 상기 절연체 필름의 표면상에 주요 구성 요소로서 용융점이 높은 금속을 포함하는 금속성 필름을 형성하고, 상기 금속성 필름의 표면상에 소정의 패턴으로 레지스트 필름을 형성하는 단계와, 상기 레지스트 필름을 마이크로 사용하여, 소정의 유속을 갖는 제1 가스 및 제2 가스 즉, 염화물 가스로 구성된 제1 가스와, 질소 또는 암모니아 가스로 구성된 제2 가스를 포함하는 혼합 가스로 상기 금속성 필름을 에칭하는 단계와, 그리고 상기 소정의 유속과 비교하여 상기 제1 및 제2 가스의 유속이 증가된, 상기 제1 가스 및 제2 가스를 포함하는 혼합 가스로 잔존하는 금속을 과에칭하는 단계를 구비함을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940031261A 1993-11-26 1994-11-25 반도체 장치 제조 방법 KR0185227B1 (ko)

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