KR930018321A - 금속배선층의 식각방법 - Google Patents

금속배선층의 식각방법 Download PDF

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KR930018321A
KR930018321A KR1019920003205A KR920003205A KR930018321A KR 930018321 A KR930018321 A KR 930018321A KR 1019920003205 A KR1019920003205 A KR 1019920003205A KR 920003205 A KR920003205 A KR 920003205A KR 930018321 A KR930018321 A KR 930018321A
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor

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Abstract

본 발명은 반도체 장치에 있어서 금속배선층의 식각방법에 관한것으로 일차금속층과 이차금속층과의 단락을 방지하기위해 일차금속층을 식각가스 Cl2, BCl3의 혼합비율을 1 : 3 내지 1 : 5로 공급전압을 -180V이상으로 조절하여 경사진 측면부를 가지는 금속배선층을 형성하는 식각방법을 제공한다.

Description

금속배선층의 식각방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 금속배선층의 단면도, 제3도는 직각가스의 혼합비를 및 공급전압과 경사각의 관계를 나타낸 그래프.

Claims (4)

  1. 금속배선층의 식각 방법에 있어서, 식각 반응실 내로 유입되는 식각가스의 혼합비율과 공급전압중 적어도 하나의 조건을 변화시켜 금속배선층을 식각하여, 상기 금속배선중 측면부와 기판의 경사각이 90미만이 되게함을 특징으로 하는 금속배선층의 식각방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 식각가스가 Cl2와, BCl3와 CHF3로 이루어짐을 특징으로 하는 금속배선층의 식각방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 BCl3의 양이 Cl2의 양의 3배 내지 5배임을 특징으로 하는 금속배선층의 식각방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 공급전압이 -180V에서 -280V 사이임을 특징으로 하는 금속배선층의 식각방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100762027B1 (ko) * 2001-05-17 2007-09-28 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴 3층막 구조를 갖는 전극의식각방법

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