KR970052258A - 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 미세 콘택홀 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 기판 상에 산화막을 형성하는 단계; 및 플루오르카본(fluorocarbon)계 가스와 카본 옥사이드(carbon oxide)계 가스의 혼합가스를 사용하여 산화막을 플라즈마 식각하되 플루오르카본계 가스에 대한 카본 옥사이드(carbon oxide)계 가스의 비율을 0.1 내지 10이 되도록 가스를 혼합하여 식각하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명에 따른 콘택홀 형성 방법을 설명하기 위한 도면.
Claims (4)
- 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 있어서, 반도체 기판 상에 산화막을 형성하는 단계; 및 플루오르카본(fluorocarbon)계 가스와 카본 옥사이드(carbon oxide)계 가스의 혼합가스를 사용하여 산화막을 플라즈마 식각하되 플루오르카본계 가스에 대한 카본 옥사이드(carbon oxide)계 가스의 비율을 0.1 내지 10이 되도록 가스를 혼합하여 식각하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플우오르카본계 가스의 플루오린에 대한 카본의 조성비는 1:3이하인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제2항에 있어서, 상기 플루오르카본계 가스는 C2F3, C3F8, C4F8중 적어도 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 카본 옥사이드계 가스는 CO, CO2중 적어도 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950050895A KR970052258A (ko) | 1995-12-16 | 1995-12-16 | 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성 방법 |
| TW085114526A TW348296B (en) | 1995-12-16 | 1996-11-25 | Method for forming contact hole in semiconductor device |
| DE19651776A DE19651776A1 (de) | 1995-12-16 | 1996-12-12 | Verfahren zur Herstellung eines Kontaktlochs in einer Halbleitervorrichtung |
| GB9626111A GB2308232A (en) | 1995-12-16 | 1996-12-16 | A method of forming a contact hole in a semiconductor device. |
| JP8335933A JPH09186144A (ja) | 1995-12-16 | 1996-12-16 | 半導体素子のコンタクトホール形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950050895A KR970052258A (ko) | 1995-12-16 | 1995-12-16 | 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052258A true KR970052258A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66594208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950050895A KR970052258A (ko) | 1995-12-16 | 1995-12-16 | 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052258A (ko) |
-
1995
- 1995-12-16 KR KR1019950050895A patent/KR970052258A/ko not_active Application Discontinuation
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