KR970052254A - 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 - Google Patents

반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 실리콘 기판 상에 산화막을 형성하는 단계; 및 플루오르 카본(fluorocarbon)계 가스와 카본 옥사이드(carbon oxide)계 가스의 혼합가스를 사용하여 산화막을 플라즈마 식각하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 콘택홀 형성시 노출된 실리콘 기판 표면에 식각제에 의해 손상을 받지 않기 때문에 콘택 저항이 증가되는 문제를 해결 하여 반도체 소자의 전기적 특성을 향상시키고, 특히 DRAM의 리프레쉬 시간을 향상시킬 수 있으며, 또한 손상부위를 제거를 위한 추가 클리닝(cleaning) 공정이 불필요 하므로 공정의 단순화를 가져오는 효과가 있다.

Description

반도체소자의 콘택홀 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 콘택홀 형성 방법을 설명하기 위한 도면.

Claims (5)

  1. 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 있어서, 반도체 기판 상에 산화막을 형성하는 단계; 및 플루오르 카본(fluorocarbon)계 가스와 카본 옥사이드(carbon oxide)계 가스의 혼합가스를 사용하여 산화막을 플라즈마 식각하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 플루오르카본계 가스의 플루오린에 대한 카본의 조성비는 1:3이하인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 혼합가스의 플루오르카본계 가스에 대한 카본 옥사이드(carbon oxide)계 가스의 비율은 0.05 내지 20인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 플루오르카본계 가스는 C2F6, C3F8, C4F8중 적어도 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 카본 옥사이드계 가스는 CO, CO2중 적어도 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950050877A 1995-12-16 1995-12-16 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 KR100226216B1 (ko)

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