KR980005550A - 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 콘택홀을 형성하기 위한 에칭후, Ar 스퍼터링을 이용하여 손상된 층을 제거하는 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명의 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법은 콘택홀을 형성하기 위해 공지의 방법으로 반도체 기판상에 형성된 산화물의 소정 부분을 실리콘 기판이 노출 되도록 에칭하는 단계; 산화물 에칭후 산화물과 에천트 사이의 반응으로 인하여 실리콘 기판 표면에 생성된 다량의 폴리머를 제거하는 단계; 폴리머가 제거된 실리콘 기판 표면의 손상층을 제거하는 단계; 및 에칭시 마스크로 이용된 감광막의 스트립 및 세정 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (4)
- 콘택홀을 형성하기 위해 공지의 방법으로 반도체 기판상에 형성된 산화물의 소정 부분을 실리콘 기판이 노출되도록 에칭하는 단계; 산화물 에칭후 산화물과 에천트 사이의 반응으로 인하여 실리콘 기판 표면에 생성된 다량의 폴리머를 제거하는 단계; 폴리머가 제거된 실리콘 기판 표면의 손상층을 제거하는 단계; 및 에칭시 마스크로 이용된 감광막의 스트립 및 세정 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리머는 O2와 O2+CF4 플라즈마를 이용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 손상된 층의 제거는 Ar 플라즈마를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법.
- 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 손상된 층은 표면의 100Å 내지 300Å 깊이를 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024542A KR980005550A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024542A KR980005550A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005550A true KR980005550A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66241104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960024542A KR980005550A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005550A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100397710B1 (ko) * | 1998-08-12 | 2003-11-15 | 주식회사 만도 | 반도체 센서의 제조방법 |
| KR100500932B1 (ko) * | 2001-09-28 | 2005-07-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 비아 콘택 식각 후의 감광막 제거 및 건식 세정 방법 |
-
1996
- 1996-06-27 KR KR1019960024542A patent/KR980005550A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100397710B1 (ko) * | 1998-08-12 | 2003-11-15 | 주식회사 만도 | 반도체 센서의 제조방법 |
| KR100500932B1 (ko) * | 2001-09-28 | 2005-07-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 비아 콘택 식각 후의 감광막 제거 및 건식 세정 방법 |
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