KR960035829A - 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 콘택홀 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 콘택홀에서의 접촉저항을 감소시키기 위하여 콘택홀형성 후 소정의 세정공정을 실시하여 콘택홀하부의 표면거칠기(Surface roughness)를 증가시키므로써 접촉면적의 증가로 인한 접촉저항의 감소로 소자의 전기적특성이 향상될 수 있도록 한 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 콘택홀 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 및 제2b도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 콘택홀 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.

Claims (5)

  1. 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 있어서, 접합부가 형성된 실리콘기판상에 절연층 및 감광막을 순차적으로 형성한 후 콘택홀마스크를 이용하여 상기 감광막을 패터닝하고 플라즈마식각공정으로 상기 절연층을 식각하여 접합부상부의 실리콘기판이 노출되도록 콘택홀을 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 상기 식각공정시 플라즈마에 의해 손상된 부분의 실리콘기판을 제거하기 위하여 후속식각처리한 후 상기 감광막을 제거하는 단계와, 상기 단계로부터 1차 세정 및 2차 세정공정을 순차적으로 실시하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 후속식각처리는 SF6/CF4+O2/NF3를 이용한 플라즈마식각공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 1차 세정공정은 CLN B+BOE용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 1차 세정공정은 CLN B+HF용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 2차 세정공정은 H2O:H2O2:NH4OH=5:1:1.5 내지 3으로 혼합된 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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