KR980005672A - 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 콘택홀 형성방법을 제공하는 것으로, 실리콘기판상에 형성된 산화막을 식각하여 콘택홀을 형성한 후 콘택홀이 매립되도록 감광막을 형성하고, CMP 공정을 실시한 후 감광막을 제거하므로써 콘택홀의 형성과정에서 노출되는 티타늄 실리사이드층이 오버식각으로 손상되는 것을 방지할 수 있는 탁월한 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a 내지 2e도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 콘택홀 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (5)
- 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 있어서, 필드산화막이 형성된 실리콘기판상에 게이트전극을 형성한 후 접합영역을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 게이트전극의 측벽에 스페이서를 형성한 후 게이트전극 및 접합영역의 상부에 티타늄 실리사이드층을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 실리콘기판의 전체 상부면에 산화막을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 게이트전극 및 접합영역이 노출되도록 산화막을 식각공정으로 식각하여 제1 내지 제3콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 제1 내지 제3콘택홀이 매립되도록 감광막을 코팅한 후 CMP 공정을 실시하는 단계와, 상기 단계로부터 제1 내지 제3콘택홀내에 남아있는 감광막을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각공정은 1011내지1012(이온/㎤)의 플라즈마를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 감광막은 8000 내지 12000Å의 두게로 코팅되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 감광막은 산소를 이용한 플라즈마 식각방법으로 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 감광막은 솔벤트처리에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960022829A KR980005672A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960022829A KR980005672A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005672A true KR980005672A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66288202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960022829A KR980005672A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005672A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100451757B1 (ko) * | 1998-09-29 | 2004-11-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의콘택홀형성방법 |
-
1996
- 1996-06-21 KR KR1019960022829A patent/KR980005672A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100451757B1 (ko) * | 1998-09-29 | 2004-11-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의콘택홀형성방법 |
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