KR960035816A - 반도체 소자의 콘택 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 콘택 형성방법에 관한 것으로, 반도체소자에 낮은 단차를 갖는 제1구조물 상부에 높은 단차를 갖는 제2구조물이 형성된 산화막을 형성하고 상기 산화막 상부에 감광막패턴을 형성하되, 상기 제2구조물 상부의 감광막패턴 폭은 일정크기 이하로 형성하고 상기 제1구조물 상부의 감광막패턴 폭은 제2구조물 상부에 형성된 감광막패턴보다 넓게 형성한 다음, 상기 제2구조물 상부의 감광막패턴 폭을 이용하여 에치스톱이 발생할 때까지 탄소함유비율이 많은 가스로 플라즈마식각하고 상기 제1구조물 상부의 감광막패턴 폭을 이용하여 상기 제2구조물 상부에 남아 있는 상기 산화막 두께만큼 남기고 상기 산화막을 식각한 다음, 상기 플라즈마 식각공정시 발생된 폴리머를 제거하고 상기 감광막패턴을 마스크로 하여 상기 남아있는 산화막을 식각한 다음, 상기 감광막패턴을 제거함으로써 상기 제1,2구조물의 손상없이 콘택을 형성하여 반도체소자의 생산성 및 수율을 향상시킬 수 있는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 내지 제1c도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 콘택 형성공정을 도시한 단면도.
Claims (4)
- 반도체소자에 낮은 단자를 갖는 제1구조물과 높은 단차를 갖는 제2구조물에 하나의 콘택마스크를 이용하여 손상없이 콘택을 형성하는 반도체소자의 콘택 형성방법에 있어서, 상기 제1구조물 상부에 제2구조물이 형성된 산화막을 형성하는 공정과, 상기 산화막 상부에 감광막패턴을 형성하되, 상기 제2구조물 상부의 감광막패턴 폭은 상기 제1구조물의 감광막패턴 폭보다 작게 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 제2구조물 상부의 상기 산화막만을 식각하되, 탄소함유비율이 높은 가스를 이용함으로써 폴리머가 발생되어 에치스톱이 일어날 때까지 플라즈마식각하는 공정과, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 제1구조물 상부의 상기 산화막을 식각하되, 상기 폴리머와 상기 제2구조물 사이의 상기 산화막 두께만큼만 남도록 건식식각하는 공정과, 산소플라즈마식각공정을 일정시간 실시하여 상기 폴리머를 제거하는 공정과, 상기 감광막패턴을 마스크로하고 산화막 식각가스를 이용한 건식방법으로 상기 제1구조물과 제2구조물을 각각 노출시키는 제1,2 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 제거하는 공정을 포함하는 반도체소자의 콘택 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1구조물 상부의 감광막패턴 폭은 상기 제2구조물 상부에 형성된 감광막패턴 폭보다 크게 형성된 것을 특징으로하는 반도체소자의 콘택 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2구조물 상부의 감광막패턴 폭은 0.35 내지 0.10㎛ 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산소플라즈마식각공정은 상기 감광막패턴이 손상되지않도록 10 내지 15초 동안 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950006137A KR960035816A (ko) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 반도체 소자의 콘택 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950006137A KR960035816A (ko) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 반도체 소자의 콘택 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960035816A true KR960035816A (ko) | 1996-10-28 |
Family
ID=66553019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950006137A KR960035816A (ko) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 반도체 소자의 콘택 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960035816A (ko) |
-
1995
- 1995-03-22 KR KR1019950006137A patent/KR960035816A/ko not_active Application Discontinuation
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