KR950004402A - 콘택홀 경사식각에 의한 배선층 스텝커버리지 개선방법 - Google Patents

Abstract

본 발명인 콘택홀 경사식각에 의한 배선층 스텝커버리지 개선방법은 실리콘기판(1)상에 산화막(2)을 형성하고 포토레지스트를 도포한 다음 마스킹 공정을 거쳐 포토레지스트패턴(3)을 형성하는 단계, 웨이퍼 배면에 주입되는 헬륨가스 압력을 15 내지 20Torr까지 증가시켜 웨이퍼 배면의 온도를 낮춘 상태에서 상기 산화막(2)을 식각하여 중합체층을 크게 형성함으로써 레지스트 선택도가 증가되어 경사진 콘택홀을 형성하는 단계, 상기 실리콘기판(1) 상부의 콘택홀 형성부위의 산화막(2)을 완전히 제거하고, 포토레지스트(3)를 스트립한 후 전체구조 상부에 배선층(4)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어져 콘택홀을 경사지게 형성한 후 금속막을 증착함으로써 금속배선층의 스텝커버리지 특성이 크게 개선되어 소자의 신뢰성 향상 및 수명연장의 효과를 얻을 수 있다.

또한, 스컴제거 공정, 콘택홀 습식식각 공정단계를 생략할 수 있어 공정간소화라는 부가적 효과를 얻을 수 있다.

Description

콘택홀 경사식각에 의한 배선층 스텝커버리지 개선방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제3도는 본 발명에 따른 콘택홀 형성 공정 흐름도, 제4도는 본 발명의 일실시예에 따른 콘택홀 형성 공정 단면도.

Claims (1)

1. 반도체 소자의 제조공정중 배선간 접속을 위한 접촉창인 콘택홀 형성시 산화막을 경사지게 식각하는 콘택홀 경사식각에 의한 배선층 스텝커버리지 개선방법에 있어서, 실리콘기판(1) 상에 산화막(2)을 형성하고, 포토레지스트를 도포한 다음 마스킹 공정을 거쳐 포토레지스트패턴(3)을 형성하는 단계, 웨이퍼 배면에 주입되는 헬륨가스 압력을 15 내지 20Torr까지 증가시켜 웨이퍼 배면의 온도를 낮춘 상태에서 상기 산화막(2)을 식각하여 중합체층을 크게 형성함으로써 레지스트 선택도가 증가되어 경사진 콘택홀을 형성하는 단계, 상기 실리콘기판(1) 상부의 콘택홀 형성부위의 산화막(2)을 완전히 제거하고, 포토레지스트(3)를 스트립한 후 전체구조 상부에 배선층(4)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 콘택홀 경사식각에 의한 배선층 스텝커버리지 개선방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.