KR980005477A - 반도체 소자의 비아콘택홀 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 비아콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 비어콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 제1금속배선에 접속되는 제1금속배선을 형성하기 위한 비아콘택홀 형성공정시, 종래의 기술에서 형성되는 언더컷과 과-보우잉 부분 사이에 존재하는 돌출부 ⓐ를 전면식각공정으로 식각함으로써 상부측이 넓은 비아콘택홀을 형성하여 후속공정을 용이하게 실시할 수 있어 반도체 소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하는 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2c도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체소자의 비아콘택홀 형성방법을 도시한 단면도.
Claims (4)
- 제1금속배선에 제2금속배선을 접속시키기 위한 반도체소자의 비아콘택홀 형성방법에 있어서, 상기 제1금속배선 상부에 공지의 기술로 제1내부절연막, 평타화층인 SOG 절연막 및 제2내부절연막을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 제2내부절연막 상부에 비아콘택마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 제2내부절연막을 소정두께 등방성식각함으로써 상기 감광막패턴 하부로 언더컷을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 이방성식각함으로써 상기 제1금속배선을 노출시키는 비아콘택홀을 형성하되, 상기 평탄화층이 보우잉되는 공정과, 상기 감광막패턴을 산소플라즈마로 제거하되, 상기 보우잉된 부분이 과-보우잉되는 공정과, 사이콘택식각공정시 상기 비아콘택홀 내부에 유발되는 폴리머를 습식방법으로 제거하는 공정과, 전체상부구노를 전면식각하여 상기 언더컷과 과-보우잉 부분의 돌출부를 제거함으로써 상부측이 넓은 경사진 비아콘택홀을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 비아콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전면식각공정은 CH4, SF6, O2, NF3, CHF|3또는 C2F6등의 가스를 이용하여 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 비아콘택홀 형성방법.
- 제1금속배선에 제2금속배선을 접속시키기 위한 반도체소자의 비아콘택홀 형성방법에 있어서, 사이 제1금속배선 상부에 공지의 기술로 제1내부절연막, 평탄화층인 SOG 절연막 및 제2내부절연막을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 제2내부절연막 상부에 비아콘택마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 제2내부절연막을 소정두께 등방성식각함으로써 상기 감광막패턴 하부로 언더컷을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 마스크로 하여 상기 제2내부절연막, 평탄화층 및 소정두께의 제1내부절연막을 이방성식각하여 흠을 형성하되, 상기 평탄화층이 보우잉되는 공정과, 상기 감광막패턴을 산소플라즈마로 제거하되, 상기 보우잉된 부분이 과-보우잉 공정과, 상기 이방성식각공정시 상기 홈 내부에 유발되는 플리머를 습식방법으로 제거하는 공정과 전체상부구조를 전면식각하여 상기 제1금속배선을 노출시키는 비아콘택홀을형성하는 동시에 상기 언더컷과 과- 보우잉 부분의 돌출부를 제거함으로써 상부측이 넓은 경사진 비아콘택홀을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 비아콘택홀 형성방법,
- 제3항에 있어서, 상기 전면식각공정은 CH4, SF6,O2,CHF3또는 C2F6등의 가스를 이용하여 실시하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 비어콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023224A KR980005477A (ko) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 반도체 소자의 비아콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023224A KR980005477A (ko) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 반도체 소자의 비아콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005477A true KR980005477A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66287314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960023224A KR980005477A (ko) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 반도체 소자의 비아콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005477A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100518520B1 (ko) * | 1998-08-11 | 2005-11-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치의 실리콘막 식각방법 |
| WO2020159023A1 (ko) | 2019-01-31 | 2020-08-06 | 김제현 | 단계적 압점지지를 이용한 저토크 지수형 부단수 밸브 |
-
1996
- 1996-06-24 KR KR1019960023224A patent/KR980005477A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100518520B1 (ko) * | 1998-08-11 | 2005-11-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치의 실리콘막 식각방법 |
| WO2020159023A1 (ko) | 2019-01-31 | 2020-08-06 | 김제현 | 단계적 압점지지를 이용한 저토크 지수형 부단수 밸브 |
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