KR960035800A - 반도체 소자의 콘택 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 콘택 형성방법에 관한 것으로, 특히 최소 직경의 콘택홀 내벽에 스페이서를 형성하고 이 스페이서를 식각의 장벽막으로 이용함으로써, 보다 미세한 사이즈의 콘택홀을 얻을 수 있는 반도체 소자의 콘택 형성방법에 관한 것으로서, 반도체 기술의 진보와 더불어 더 나아가서는 반도체 소자의 고속화, 고집적화가 진행되고 있고, 이에 수반해서 패턴에 대한 미세화의 필요성이 점점 높아지지만 현재 마스크 패턴으로 쓰이는 포토레지스트막이 미세화 되는데 한계가 있으므로 본 발명은 포토레지스트 패턴으로 형성된 콘택홀 내벽에 절연막 스페이서를 형성하여 식각 마스크로 이용하므로써, 기존 포토레지스트 공정을 이용하여 미세한 콘택홀을 형성할 수 있고, 고집적 반도체 소자의 콘택홀 형성에 용이하게 사용될수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(바)는 본 발명에 따른 반도체 소자의 콘택 형성 과정을 보인 요부 단면도.
Claims (4)
- 반도체 기판 또는 전도층 상부에 산화막을 구비한 반도체 소자의 콘택 형성방법에 있어서, 제1금속박막을 증착한 후 포토레지스트의 최소 직경으로 금속박막을 식각하는 단계 : 상기 식각된 제1금속박막층 상부 및 측부에 선택적으로 제2금속박막층을 형성하는 단계 : 상기 제2금속박막의 상부 및 측부에 절연막을 형성하는 단계 : 상기 절연막을 이방성 식각하여 콘택홀 측벽에 스페이서를 형성하는 단계 : 상기 절연막을 이방성 식각하여 콘택홀 측벽에 스페이서를 형성하는 단계 : 상기 스페이서를 마스크로 하여 상기 산화막을 식각하는 단계 및 금속배선 형성단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 스페이서를 마스크로 하여 상기 산화막을 식각하는 단계와 금속배선 형성단계 사이에 화학적 기계적 연마방법으로 상기 제1. 제2금속 박막층과 스페이서를 제거하는 단계가 첨가된것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 형성방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 스페이서는 질화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 형성방법.
- 제1항 또는 제2항에 잇어서, 상기 스페이서는 상기 산화막과 식각률의 차가 5배 이상인 산화막인것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950004448A KR960035800A (ko) | 1995-03-04 | 1995-03-04 | 반도체 소자의 콘택 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950004448A KR960035800A (ko) | 1995-03-04 | 1995-03-04 | 반도체 소자의 콘택 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960035800A true KR960035800A (ko) | 1996-10-28 |
Family
ID=66548987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950004448A KR960035800A (ko) | 1995-03-04 | 1995-03-04 | 반도체 소자의 콘택 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960035800A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100414732B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2004-01-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 금속배선 형성 방법 |
-
1995
- 1995-03-04 KR KR1019950004448A patent/KR960035800A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100414732B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2004-01-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 금속배선 형성 방법 |
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